3П326Б-2
Транзисторы 3П326Б-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 17,4 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры.
Транзисторы 3П326А-2, 3П326Б-2, 3П326А-2Н, 3П326Б-2Н бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой.
На ножке 3П326Б-2 наносится условная маркировка черной точкой, на транзистор 3П326А-2 условная маркировка не наносится.
Транзистор 3П326А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,1г, кристалла не более 0,0002г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приёмка «5» - аА0.339.314ТУ.
Зарубежный аналог: CFX14.
Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 50000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Характеристики арсенидгаллиевых полевых транзисторов с каналом n-типа и барьером Шоттки
3П326А-2, 3П326Б-2, 3П326А-2Н, 3П326Б-2Н, 3П326А-5:
Тип
полевого транзистора
|
Р МАКС
|
f МАКС
|
Предельные значения параметров при Т=25°С
|
Значения параметров при Т=25°С
|
Т ОКР
|
|
UСИ МАКС
|
UЗС МАКС
|
UЗИ МАКС
|
IС МАКС
|
UЗИ ОТС
|
RCИ отк
|
IЗ УТ
|
S
|
IС НАЧ
|
C11И
|
C12И
|
C22И
|
КШ
|
КУР
|
|
мВт
|
ГГц
|
В
|
В
|
В
|
мА
|
В
|
Ом
|
мкА
|
мА/В
|
мА
|
пФ
|
пФ
|
пФ
|
дБ
|
дБ
|
°С
|
|
3П326А-2
|
30
|
18
|
2,5
|
5,5
|
4
|
-
|
1…4
|
-
|
<5
|
>8
|
-
|
-
|
-
|
-
|
<4,5
|
>3
|
-60…+85
|
|
3П326Б-2
|
30
|
18
|
2,5
|
5,5
|
4
|
-
|
1…4
|
-
|
<5
|
>8
|
-
|
-
|
-
|
-
|
<5,5
|
>3
|
-60…+85
|
|
3П326А-2Н
|
30
|
18
|
2,5
|
5,5
|
4
|
-
|
1…4
|
-
|
<5
|
>8
|
-
|
-
|
-
|
-
|
<4,5
|
>3
|
-60…+85
|
|
3П326Б-2Н
|
30
|
18
|
2,5
|
5,5
|
4
|
-
|
1…4
|
-
|
<5
|
>8
|
-
|
-
|
-
|
-
|
<5,5
|
>3
|
-60…+85
|
|
3П326А-5
|
30
|
18
|
2,5
|
5,5
|
4
|
-
|
1…4
|
-
|
<5
|
>8
|
-
|
-
|
-
|
-
|
<4,5
|
>3
|
-60…+85
|
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
•
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
•
f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
•
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
•
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
•
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
•
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
•
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
•
RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора.
•
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
•
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
•
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
•
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
•
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
•
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
C22И - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
•
Т ОКР - температура окружающей среды.
