3П604Г1-2
Транзисторы 3П604Г1-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шоттки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
- 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
- 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
- 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
- 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приёмка «5» - аА0.339.476ТУ.
Зарубежный аналог: DXL-3503A-P70, DXL-3504.
Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Характеристики арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки и каналом n-типа
3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2, 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5:
Тип
полевого транзистора
|
Р МАКС
|
f МАКС
|
Предельные значения параметров при Т=25°С
|
Значения параметров при Т=25°С
|
Т ОКР
|
|
UСИ МАКС
|
UЗС МАКС
|
UЗИ МАКС
|
IС МАКС
|
UЗИ ОТС
|
RCИ отк
|
IЗ УТ
|
S
|
IС НАЧ
|
C11И
|
C12И
|
PВЫХ
|
КШ
|
КУР
|
|
мВт
|
ГГц
|
В
|
В
|
В
|
мА
|
В
|
Ом
|
мкА
|
мА/В
|
мА
|
пФ
|
пФ
|
мВт
|
дБ
|
дБ
|
°С
|
|
3П604А-2
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
20…40
|
-
|
-
|
-
|
>200
|
-
|
>3
|
-60…+100
|
|
3П604Б-2
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
15…40
|
-
|
-
|
-
|
>125
|
-
|
>2,6
|
-60…+100
|
|
3П604В-2
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
10…20
|
-
|
-
|
-
|
>75
|
-
|
>3
|
-60…+100
|
|
3П604Г-2
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
10…20
|
-
|
-
|
-
|
>50
|
-
|
>3
|
-60…+100
|
|
3П604А1-2
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
20…40
|
-
|
-
|
-
|
>200
|
-
|
>2,6
|
-60…+100
|
|
3П604Б1-2
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
15…40
|
-
|
-
|
-
|
>125
|
-
|
>2,6
|
-60…+100
|
|
3П604В1-2
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
10…20
|
-
|
-
|
-
|
>75
|
-
|
>3
|
-60…+100
|
|
3П604Г1-2
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
10…20
|
-
|
-
|
-
|
>50
|
-
|
>3
|
-60…+100
|
|
3П604А-5
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
20…40
|
-
|
-
|
-
|
>200
|
-
|
>3
|
-60…+100
|
|
3П604Б-5
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
15…40
|
-
|
-
|
-
|
>125
|
-
|
>2,6
|
-60…+100
|
|
3П604В-5
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
10…20
|
-
|
-
|
-
|
>75
|
-
|
>3
|
-60…+100
|
|
3П604Г-5
|
900
|
18
|
7
|
-
|
-3
|
-
|
-
|
-
|
<20
|
10…20
|
-
|
-
|
-
|
>50
|
-
|
>3
|
-60…+100
|
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
•
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
•
f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
•
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
•
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
•
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
•
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
•
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
•
RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора.
•
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
•
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
•
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
•
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
•
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
•
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
PВЫХ - выходная мощность полевого транзистора.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
•
Т ОКР - температура окружающей среды.
