КТ306Б
Транзисторы КТ306Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты КТ306В, КТ306Г, КТ306Д и переключающих устройствах КТ306А, КТ306Б.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,65 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - СБ0.336.028ТУ.
Импортный аналог: 2SC601, ST6130.
Основные технические характеристики транзистора КТ306Б:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом
Технические характеристики транзисторов КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мкА
|
МГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
КТ306А
|
n-p-n
|
30
|
50
|
10
|
15
|
4
|
150
|
20...60
|
0,3
|
0,5
|
300
|
8
|
5
|
4,5
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ306Б
|
n-p-n
|
30
|
50
|
10
|
15
|
4
|
150
|
40…120
|
0,3
|
0,5
|
500
|
8
|
5
|
4,5
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ306В
|
n-p-n
|
30
|
50
|
10
|
15
|
4
|
150
|
20…100
|
0,3
|
0,5
|
300
|
8
|
5
|
4,5
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ306Г
|
n-p-n
|
30
|
50
|
10
|
15
|
4
|
150
|
40…200
|
0,3
|
0,5
|
500
|
8
|
5
|
4,5
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ306Д
|
n-p-n
|
30
|
50
|
10
|
15
|
4
|
150
|
30…150
|
0,3
|
0,5
|
200
|
8
|
5
|
4,5
|
150
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
