2П303А/ЭА
Транзисторы 2П303А/ЭА кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
- приёмка «ВП» АЕЯР.432140.203ТУ;
- приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.203ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N3823, D110-1.
Надежность:
Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторов требованиям АЕЯР.432140.203ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведённых в ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом n-типа
2П303А/ЭА, 2П303Б/ЭА, 2П303В/ЭА, 2П303Г/ЭА, 2П303Д/ЭА, 2П303Е/ЭА, 2П303И/ЭА:
Тип
полевого транзистора
|
Р МАКС
|
f МАКС
|
Предельные значения параметров при Т=25°С
|
Значения параметров при Т=25°С
|
Т ОКР
|
|
UСИ МАКС
|
UЗС МАКС
|
UЗИ МАКС
|
IС МАКС
|
UЗИ ОТС
|
g22И
|
IЗ УТ
|
S
|
IС НАЧ
|
C11И
|
C12И
|
КШ
|
|
мВт
|
МГц
|
В
|
В
|
В
|
мА
|
В
|
мкСм
|
нА
|
мА/В
|
мА
|
пФ
|
пФ
|
дБ
|
°С
|
|
2П303А/ЭА
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
0,5…3
|
-
|
<1
|
1…4
|
0,5…2
|
<6
|
<2
|
-
|
-60…+125
|
|
2П303Б/ЭА
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
0,5…3
|
-
|
<1
|
1…4
|
0,5…2
|
<6
|
<2
|
-
|
-60…+125
|
|
2П303В/ЭА
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
1…4
|
-
|
<1
|
2…5
|
1,5…5
|
<6
|
<2
|
-
|
-60…+125
|
|
2П303Г/ЭА
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
<8
|
-
|
<0,1
|
3…7
|
3…12
|
<6
|
<2
|
-
|
-60…+125
|
|
2П303Д/ЭА
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
<8
|
-
|
<1
|
>2,6
|
3…9
|
<6
|
<2
|
<4
|
-60…+125
|
|
2П303Е/ЭА
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
<8
|
-
|
<1
|
>4
|
5…20
|
<6
|
<2
|
<4
|
-60…+125
|
|
2П303И/ЭА
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
1…3
|
-
|
<1
|
2...6
|
1,5…5
|
<6
|
<2
|
<4
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
•
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
•
f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
•
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
•
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
•
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
•
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
•
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
•
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
•
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
•
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
•
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
•
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
•
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
Т ОКР - температура окружающей среды.
