IRFBC40
Транзистор IRFBC40 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
Максимальный ток стока: 6,2 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,2 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.
Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRFPBC40:
Наименование транзистора
|
Структура
|
Максимальное
напряжение сток-исток
VDS
|
Максимальное
напряжение затвор-исток
VGS
|
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS(on) при VGS = 4.5/10В
|
Ток стока
ID при T=25°C
|
Заряд затвора
Qg
|
Температурный
коэффициент
сопротивления
Rjc
|
Максимальная
рассеиваемая
мощность
Pd
|
Тип корпуса
|
В
|
В
|
Ω
|
А
|
нКл
|
°C/Вт
|
Вт
|
IRFBC40
|
N-канал
|
600
|
30
|
1.2
|
6.2
|
60
|
-
|
125
|
TO-220AB
|
Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
•
VDS - Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
•
VGS - Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
•
RDS(on) - Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
•
ID - Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
•
Qg - Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
•
Rjc - Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
•
Pd - Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.