+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзистор ГТ308В

shadow

ГТ308В


Купить:
39.60 руб
Цена с НДС
+ -
В корзину
ГТ308В
Транзисторы ГТ308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-4.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - ЩП3.365.009ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.

Основные технические характеристики транзистора ГТ308В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 120 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...150 (1В; 10мА);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ (1,6 МГц);
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс

Технические характеристики транзисторов ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В, ГТ308Г:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С Т
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
К. И. max)
h21Э,
(h21э)
UКБ
(UКЭ)
IЭ
(IК)
UКЭ
нас.
IКБО fгp.
(f h21)
КШ СК
мА мА В В В мВт В мА В мкА МГц дБ пФ °С
ГТ308А p-n-p 50 120 (15) 20 3 150 25...75 1 10 1,5 5 100 - 8 -60...+70
ГТ308Б p-n-p 50 120 (15) 20 3 150 50...120 1 10 1,2 5 120 - 8 -60...+70
ГТ308В p-n-p 50 120 (15) 20 3 150 80...150 1 10 1,2 5 120 8 8 -60...+70
ГТ308Г p-n-p 50 120 (15) 20 3 150 90...200 1 10 1,2 5 120 - 8 -60...+70

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
UКБ - постоянное напряжение коллектор-база транзистора.
UКЭ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
IЭ - постоянный ток эмиттера транзистора.
IК - постоянный ток коллектора транзистора.
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБ0 - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока.
fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
КШ - коэффициент шума транзистора.
Т - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики, параметры, схема, описание:

ГТ308В

Технические характеристики; Datasheet: Скачать PDF файл

shadow

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.


Лучшие цены
Сравните цены - купите лучшее
Мы гарантируем качество поставляемой продукции и выполнение обязательств по поставке.
Гарантия 100%
Лучшие цены, сроки поставки
24 года успешной работы
Купить радиодетали в одном месте и и оформить доставку
Доставка в кратчайшие сроки
ы можете получить купленные электрорадиоизделия всего через несколько дней после оплаты
Быстрый и дружественный сервис