+7(473) 277-14-34
+7(473) 277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзистор 1Т308Б

shadow

1Т308Б


Купить:
30.00 руб
Цена с НДС
+ -
В корзину
1Т308Б
Транзисторы 1Т308Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-4.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:  ЖК3.365.120ТУ.
Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Основные технические характеристики транзистора 1Т308Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 120 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 (1В; 10мА);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс

Технические характеристики транзисторов 1Т308А, 1Т308Б, 1Т308В, 1Т308Г:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С Т
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
К. И. max)
h21Э,
(h21э)
UКБ
(UКЭ)
IЭ
(IК)
UКЭ
нас.
IКБО fгp.
(f h21)
КШ СК
мА мА В В В мВт В мА В мкА МГц дБ пФ °С
1Т308А p-n-p 50 120 (15) 20 3 150 25...75 1 10 1,5 5 90 - 8 -60...+70
1Т308Б p-n-p 50 120 (15) 20 3 150 50...120 1 10 1,2 5 120 - 8 -60...+70
1Т308В p-n-p 50 120 (15) 20 3 150 80...150 1 10 1,2 5 120 8 8 -60...+70
1Т308Г p-n-p 50 120 (15) 20 3 150 100...300 1 10 - 5 120 6 8 -60...+70

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
UКБ - постоянное напряжение коллектор-база транзистора.
UКЭ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
IЭ - постоянный ток эмиттера транзистора.
IК - постоянный ток коллектора транзистора.
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока.
fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
КШ - коэффициент шума транзистора.
Т - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики, параметры, схема, описание:

1Т308Б

Технические характеристики; Datasheet: Скачать PDF файл

shadow

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020, СРПП ВТ.


Лучшие цены
Комплексная поставка электрорадиоизделий
Мы гарантируем качество поставляемой продукции и выполнение обязательств по поставке.
Гарантия 100%
Лучшие цены, сроки поставки
25 лет успешной работы
Купить радиодетали в одном месте и и оформить доставку
Доставка в кратчайшие сроки
ы можете получить купленные электрорадиоизделия всего через несколько дней после оплаты
Быстрый и дружественный сервис