1Т313В
Транзисторы 1Т313В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», «В».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия: ЖК3.365.161ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т313В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 350 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...230 при 5В; 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс
Технические характеристики транзисторов 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
(UКЭ0 max)
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мкА
|
МГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
1Т313А
|
p-n-p
|
50
|
-
|
12
|
12
|
0,7
|
100
|
10...230
|
0,7
|
5
|
300...1000
|
8
|
2,5
|
18
|
85
|
-60…+70
|
|
1Т313Б
|
p-n-p
|
50
|
-
|
12
|
12
|
0,7
|
100
|
10...75
|
0,7
|
5
|
450...1000
|
8
|
2,5
|
14
|
85
|
-60…+70
|
|
1Т313В
|
p-n-p
|
50
|
-
|
12
|
12
|
0,7
|
100
|
30...230
|
0,7
|
5
|
350...1000
|
8
|
2,5
|
14
|
85
|
-60…+70
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
