3П330В-2
Транзисторы 3П330В-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 25 и 17,4 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 3П330А-2, 3П330Б-2, 3П330В-2, АП330А-2, АП330Б-2, АП330В-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой.
На крышке наносится условная маркировка:
- на 3П330Б-2 - белая точка,
- на 3П330В-2 - черная точка,
- на 3П330А-2 - точка не наносится.
Транзистор 3П330А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,15 г, кристалла не более 0,0002 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приёмка «5» - аА0.339.485ТУ.
Зарубежный аналог: CFX14.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 3П330В-2:
• Структура транзистора: с барьером Шотки, с n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 30 мВт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 3 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 6 В;
• S - Крутизна характеристики: более 5 мА/В;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 6 дБ на частоте 25 ГГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3,5 дБ на частоте 25 ГГц
Характеристики арсенидгаллиевых полевых транзисторов с каналом n-типа и барьером Шотки
3П330А-2, 3П330Б-2, 3П330В-2, 3П330А-5, АП330А-2, АП330Б-2, АП330В-2:
Тип
полевого транзистора
|
Р МАКС
|
f МАКС
|
Предельные значения параметров при Т=25°С
|
Значения параметров при Т=25°С
|
Т ОКР
|
|
UСИ МАКС
|
UЗС МАКС
|
UЗИ МАКС
|
IС МАКС
|
UЗИ ОТС
|
RCИ отк
|
IЗ УТ
|
S
|
IС НАЧ
|
C11И
|
C12И
|
C22И
|
КШ
|
КУР
|
|
мВт
|
ГГц
|
В
|
В
|
В
|
мА
|
В
|
Ом
|
мкА
|
мА/В
|
мА
|
пФ
|
пФ
|
пФ
|
дБ
|
дБ
|
°С
|
|
3П330А-2
|
30
|
25
|
3
|
6
|
4
|
-
|
1,5…4,5
|
-
|
<1
|
>5
|
15…50
|
-
|
-
|
-
|
<6
|
>3
|
-60…+85
|
|
3П330Б-2
|
30
|
25
|
3
|
6
|
4
|
-
|
1,5…4,5
|
-
|
<1
|
>5
|
15…50
|
-
|
-
|
-
|
<4,5
|
>3
|
-60…+85
|
|
3П330В-2
|
30
|
25
|
3
|
6
|
4
|
-
|
1,5…4,5
|
-
|
<1
|
>5
|
15…50
|
-
|
-
|
-
|
<3,5
|
>6
|
-60…+85
|
|
3П330А-5
|
30
|
25
|
3
|
6
|
4
|
-
|
1,5…4,5
|
-
|
<1
|
>5
|
15…50
|
-
|
-
|
-
|
<4
|
>3
|
-60…+85
|
|
АП330А-2
|
30
|
25
|
3
|
6
|
4
|
-
|
1,5…4,5
|
-
|
<1
|
>5
|
15…50
|
-
|
-
|
-
|
<6
|
>3
|
-60…+85
|
|
АП330Б-2
|
30
|
25
|
3
|
6
|
4
|
-
|
1,5…4,5
|
-
|
<1
|
>5
|
15…50
|
-
|
-
|
-
|
<4,5
|
>3
|
-60…+85
|
|
АП330В-2
|
30
|
25
|
3
|
6
|
4
|
-
|
1,5…4,5
|
-
|
<1
|
>5
|
15…50
|
-
|
-
|
-
|
<3,5
|
>6
|
-60…+85
|
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
•
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
•
f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
•
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
•
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
•
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
•
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
•
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
•
RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора.
•
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
•
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
•
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
•
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
•
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
•
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
C22И - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
•
Т ОКР - температура окружающей среды.
