КТ3132Б-2
Транзисторы КТ3132Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
На транзистор наносится условная маркировка двумя точками (точка у базового вывода и точка у коллекторного вывода):
- КТ3132А-2 - синие,
- КТ3132Б-2 - красные,
- КТ3132В-2 - желтые,
- КТ3132Г-2 - бежевые,
- КТ3132Д-2 - белые,
- КТ3132Е-2 - зеленые.
Масса транзистора в держателе не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.564ТУ.
Импортный аналог: HXTR6101, HXTR6102, LT4700.
Характеристики транзисторов КТ3132А-2, КТ3132Б-2, КТ3132В-2, КТ3132Г-2, КТ3132Д-2, КТ3132Е-2:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
(UКЭ0 max)
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мкА
|
ГГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
КТ3132А-2
|
n-p-n
|
8,5
|
-
|
10
|
10
|
1
|
70
|
15…150
|
-
|
0,5
|
>5,5
|
1,9
|
5,5
|
0,95
|
200
|
-60…+125
|
|
КТ3132Б-2
|
n-p-n
|
8,5
|
-
|
10
|
10
|
1
|
70
|
15…150
|
-
|
0,5
|
>5,5
|
4,8
|
5,5
|
0,95
|
200
|
-60…+125
|
|
КТ3132В-2
|
n-p-n
|
8,5
|
-
|
10
|
10
|
1
|
70
|
15…150
|
-
|
0,5
|
>5,5
|
4,8
|
5,5
|
0,95
|
200
|
-60…+125
|
|
КТ3132Г-2
|
n-p-n
|
8,5
|
-
|
10
|
10
|
1
|
70
|
15…150
|
-
|
0,5
|
>5,5
|
3,45
|
5,5
|
0,95
|
200
|
-60…+125
|
|
КТ3132Д-2
|
n-p-n
|
8,5
|
-
|
10
|
10
|
1
|
70
|
20…150
|
-
|
0,5
|
>5,5
|
2
|
5,5
|
0,95
|
200
|
-60…+125
|
|
КТ3132Е-2
|
n-p-n
|
8,5
|
-
|
10
|
10
|
1
|
70
|
70…150
|
-
|
0,5
|
>5,5
|
2,5
|
5,5
|
0,95
|
200
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
