Характеристики полевых МОП транзисторов с изолированным затвором и каналом n-типа
КП504А, КП504Б, КП504В, КП504Г, КП504Д, КП504Е:
Тип
полевого транзистора
|
Р МАКС
|
Предельные значения параметров при Т=25°С
|
Значения параметров при Т=25°С
|
Т ОКР
|
|
UСИ МАКС
|
UЗС МАКС
|
UЗИ МАКС
|
IС МАКС
|
UЗИ ПОР
|
RСИ отк
|
IЗ УТ
|
S
|
IС ОСТ
|
C11И
|
C12И
|
C22И
|
tвкл
|
tвыкл
|
|
Вт
|
В
|
В
|
В
|
мА
|
В
|
Ом
|
нА
|
А/В
|
мкА
|
пФ
|
пФ
|
пФ
|
нс
|
нс
|
°С
|
|
КП504А
|
1,0
|
240
|
-
|
±10
|
250
|
0,6…1,2
|
<15
|
<100
|
>0,14
|
<1
|
<140
|
<9
|
<30
|
23
|
95
|
-60…+125
|
|
КП504Б
|
1,0
|
240
|
-
|
±10
|
250
|
0,6…1,2
|
<15
|
<100
|
>0,14
|
<1
|
<140
|
<9
|
<30
|
23
|
95
|
-60…+125
|
|
КП504В
|
0,7
|
200
|
-
|
±10
|
200
|
0,6…1,2
|
<15
|
<100
|
>0,14
|
<1
|
<140
|
<9
|
<30
|
23
|
95
|
-60…+125
|
|
КП504Г
|
0,7
|
250
|
-
|
±10
|
180
|
0,6…1,2
|
<18
|
<100
|
>0,14
|
<1
|
<140
|
<9
|
<30
|
23
|
95
|
-60…+125
|
|
КП504Д
|
0,7
|
240
|
-
|
±10
|
200
|
0,6…1,2
|
<15
|
<100
|
>0,14
|
<1
|
<140
|
<9
|
<30
|
23
|
95
|
-60…+125
|
|
КП504Е
|
0,7
|
240
|
-
|
±10
|
200
|
0,6…1,2
|
<15
|
<100
|
>0,14
|
<1
|
<140
|
<9
|
<30
|
23
|
95
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
•
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
•
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
•
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
•
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
•
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
•
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
•
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
•
RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора. Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения.
•
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
•
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
•
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
•
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
•
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
C22И - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
tвкл - время включения полевого транзистора.
•
tвыкл - время выключения полевого транзистора.
•
Т ОКР - температура окружающей среды.
