Характеристики полевых транзисторов с изолированным затвором и каналом n-типа
КП707А1, КП707Б1, КП707В1, КП707Г1, КП707Д1, КП707Е1:
Тип
полевого транзистора
|
Р МАКС
|
Предельные значения параметров при Т=25°С
|
Значения параметров при Т=25°С
|
Т ОКР
|
|
UСИ МАКС
|
UЗС МАКС
|
UЗИ МАКС
|
IС И МАКС
|
UЗИ ОТС
|
RСИ отк
|
IЗ УТ
|
S
|
IС НАЧ
|
C11И
|
C12И
|
C22И
|
tвкл
|
tвыкл
|
|
Вт
|
В
|
В
|
В
|
А
|
В
|
Ом
|
нА
|
А/В
|
мА
|
пФ
|
пФ
|
пФ
|
нс
|
нс
|
°С
|
|
КП707А1
|
50
|
400
|
-
|
20
|
25
|
5
|
<1
|
<100
|
>1,6
|
0,1
|
<2600
|
<95
|
<600
|
<25
|
<80
|
-55…+150
|
|
КП707Б1
|
50
|
600
|
-
|
20
|
16,5
|
5
|
<2
|
<100
|
>1,6
|
0,1
|
<2600
|
<95
|
<600
|
<25
|
<80
|
-55…+150
|
|
КП707В1
|
50
|
750
|
-
|
20
|
12,5
|
5
|
<3
|
<100
|
>1,6
|
0,1
|
<2600
|
<95
|
<600
|
<25
|
<80
|
-55…+150
|
|
КП707Г1
|
50
|
700
|
-
|
20
|
>8
|
2...5
|
<2,5
|
<100
|
>1,6
|
0,1
|
>1200
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-55…+150
|
|
КП707Д1
|
50
|
500
|
-
|
20
|
>12
|
2...5
|
<1,5
|
<100
|
>1,6
|
0,1
|
>1200
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-55…+150
|
|
КП707Е1
|
50
|
750
|
-
|
20
|
>8
|
2...5
|
<5
|
<100
|
>1,6
|
0,1
|
>1200
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-55…+150
|
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
•
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
•
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
•
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
•
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
•
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
•
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
•
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
•
RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора. Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения.
•
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
•
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
•
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
•
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
•
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
C22И - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
tвкл - время включения полевого транзистора.
•
tвыкл - время выключения полевого транзистора.
•
Т ОКР - температура окружающей среды.
