КП777А
Транзисторы КП777А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приёмка «1» - АДБК.432140.805ТУ.
Прототипы: IRF840, IRF841, IRF842.
Характеристики полевых МОП-транзисторов с изолированным затвором и каналом n-типа
КП777А, КП777Б, КП777В:
Тип
полевого транзистора
|
Р МАКС
|
Предельные значения параметров при Т=25°С
|
Значения параметров при Т=25°С
|
Т ОКР
|
|
UСИ МАКС
|
UЗС МАКС
|
UЗИ МАКС
|
IС МАКС
|
UЗИ ПОР
|
RСИ отк
|
IЗ УТ
|
S
|
IС ОСТ
|
C11И
|
C12И
|
C22И
|
tвкл
|
tвыкл
|
|
Вт
|
В
|
В
|
В
|
А
|
В
|
Ом
|
нА
|
А/В
|
мкА
|
пФ
|
пФ
|
пФ
|
нс
|
нс
|
°С
|
|
КП777А
|
125
|
500
|
-
|
±20
|
8
|
2…4
|
<0,85
|
±100
|
>4
|
<250
|
<1700
|
<160
|
<410
|
<21
|
<74
|
-55…+150
|
|
КП777Б
|
125
|
450
|
-
|
±20
|
8
|
2…4
|
<0,85
|
±100
|
>4
|
<250
|
<1700
|
<160
|
<410
|
<21
|
<74
|
-55…+150
|
|
КП777В
|
125
|
500
|
-
|
±20
|
7
|
2…4
|
<1,1
|
±100
|
>4
|
<250
|
<1700
|
<160
|
<410
|
<21
|
<74
|
-55…+150
|
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
•
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
•
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
•
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
•
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
•
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
•
UЗИ ПОР - пороговое напряжение полевого транзистора.
•
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
•
RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора. Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения.
•
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
•
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
•
IС ОСТ - остаточный ток стока полевого транзистора.
•
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
•
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
C22И - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
tвкл - время включения полевого транзистора.
•
tвыкл - время выключения полевого транзистора.
•
Т ОКР - температура окружающей среды.
