Микросхема КР159НТ1В

КР159НТ1В
Микросхемы КР159НТ1В представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в 8-выводном прямоугольном пластмассовом корпусе с выводами для монтажа в отверстия печатной платы.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 201.8-1, масса не более 1,8 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: ХМ3.456.006ТУ.
Импортный аналог: 2N4042 фирмы Solitron Devices, Inc.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
  - Напряжение коллектор-база .......... 20 В
  - Напряжение эмиттер-база .......... 4 В
  - Напряжение между транзисторами .......... 20 В
  - Ток коллектора постоянный .......... 10 мА
  - Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) .......... 40 мА
  - Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) .......... 50 мВт