+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Микросхема КР159НТ1В

shadow

КР159НТ1В


Купить:
19.20 руб
Цена с НДС
+ -
В корзину
КР159НТ1В
Микросхемы КР159НТ1В представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в 8-выводном прямоугольном пластмассовом корпусе с выводами для монтажа в отверстия печатной платы.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 201.8-1, масса не более 1,8 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: ХМ3.456.006ТУ.
Импортный аналог: 2N4042 фирмы Solitron Devices, Inc.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
  - Напряжение коллектор-база .......... 20 В
  - Напряжение эмиттер-база .......... 4 В
  - Напряжение между транзисторами .......... 20 В
  - Ток коллектора постоянный .......... 10 мА
  - Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) .......... 40 мА
  - Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) .......... 50 мВт

Характеристики, параметры, схема, описание:

КР159НТ1В

Технические характеристики; Datasheet: Скачать PDF файл

shadow

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.


Лучшие цены
Комплексная поставка электрорадиоизделий
Мы гарантируем качество поставляемой продукции и выполнение обязательств по поставке.
Гарантия 100%
Лучшие цены, сроки поставки
25 лет успешной работы
Купить радиодетали в одном месте и и оформить доставку
Доставка в кратчайшие сроки
ы можете получить купленные электрорадиоизделия всего через несколько дней после оплаты
Быстрый и дружественный сервис