Микросхема КР159НТ1В

КР159НТ1В
Микросхемы КР159НТ1В представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в 8-выводном прямоугольном пластмассовом корпусе с выводами для монтажа в отверстия печатной платы.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 201.8-1, масса не более 1,8 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: ХМ3.456.006ТУ.
Импортный аналог: 2N4042 фирмы Solitron Devices, Inc.
Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение коллектор-база .......... 20 В
- Напряжение эмиттер-база .......... 4 В
- Напряжение между транзисторами .......... 20 В
- Ток коллектора постоянный .......... 10 мА
- Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) .......... 40 мА
- Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) .......... 50 мВт

Характеристики, параметры, схема, описание:

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:
ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020, СРПП ВТ.
Комплексная поставка электрорадиоизделий
Гарантия 100%
26 лет успешной работы
Доставка в кратчайшие сроки
Быстрый и дружественный сервис