2Т974А
Транзисторы 2Т974А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в импульсных и линейных устройствах и преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
- приемка «ВП» аА0.339.287ТУ;
- приемка «ОСМ» аА0.339.287ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: MRF547, MRF549, MRF543, BC313A, BC361.
Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Технические характеристики транзисторов 2Т974А, 2Т974Б, 2Т974В, 2Т974Г:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК. Т. max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
IКЭR
|
f гp.
|
СК
|
СЭ
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мА
|
мА
|
мА
|
МГц
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
2Т974А
|
p-n-p
|
2
|
10
|
70
|
80
|
3
|
5
|
10…120
|
<1
|
<5
|
<5
|
<5
|
>450
|
<80
|
<160
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т974Б
|
p-n-p
|
2
|
10
|
60
|
60
|
3
|
5
|
10…120
|
<0,6
|
<5
|
<5
|
<5
|
>450
|
<80
|
<160
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т974В
|
p-n-p
|
2
|
10
|
50
|
50
|
3
|
5
|
10…120
|
<1
|
<5
|
<5
|
<5
|
>450
|
<80
|
<160
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т974Г
|
p-n-p
|
2
|
10
|
60
|
60
|
3
|
5
|
10…120
|
<0,6
|
<5
|
<5
|
<5
|
>450
|
<80
|
<160
|
150
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
