+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Оптопары

Цены приведены с учетом НДС

3ОТ126В
Оптопары транзисторные 3ОТ126Б, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.241 ТУ.
1 716.00 руб
3ОУ186В
Оптопары тиристорные 3ОУ186В предназначены для использования в качестве бесконтактного ключевого оптоэлектронного элемента с тиристорным выходом в схемах управления, усилителях мощности, коммутаторах и других схемах аппаратуры специального назначения, требующих гальванической развязки между входом и выходом.
Оптопары являются полными аналогами по конструкции, электрическим параметрам, надежности, режимам и условиям эксплуатации, ранее изготавливаемых микросхем 434КП1 бКО.347.585ТУ.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Масса прибора не более 1,2 г.
Технические условия: АЕЯР.432220.551 ТУ.
1 380.00 руб
3ОУ186Б
Оптопары тиристорные 3ОУ186Б предназначены для использования в качестве бесконтактного ключевого оптоэлектронного элемента с тиристорным выходом в схемах управления, усилителях мощности, коммутаторах и других схемах аппаратуры специального назначения, требующих гальванической развязки между входом и выходом.
Оптопары являются полными аналогами по конструкции, электрическим параметрам, надежности, режимам и условиям эксплуатации, ранее изготавливаемых микросхем 434КП1 бКО.347.585ТУ.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Масса прибора не более 1,2 г.
Технические условия: АЕЯР.432220.551 ТУ.
1 380.00 руб
3ОУ186А
Оптопары тиристорные 3ОУ186А предназначены для использования в качестве бесконтактного ключевого оптоэлектронного элемента с тиристорным выходом в схемах управления, усилителях мощности, коммутаторах и других схемах аппаратуры специального назначения, требующих гальванической развязки между входом и выходом.
Оптопары являются полными аналогами по конструкции, электрическим параметрам, надежности, режимам и условиям эксплуатации, ранее изготавливаемых микросхем 434КП1 бКО.347.585ТУ.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Масса прибора не более 1,2 г.
Технические условия: АЕЯР.432220.551ТУ.
1 380.00 руб
3ОТ127Е
Оптопары транзисторные 3ОТ127Е, состоящие из кремниевого эпитаксиоально-планарного n-p-n транзисторного приемника и GaAlAs меза-эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения для бесконтактной коммутации цепей постоянного тока с
гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: КТ-2.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аАО.339.402 ТУ.
3ОТ127Д
Оптопары транзисторные 3ОТ127Д, состоящие из кремниевого эпитаксиоально-планарного n-p-n транзисторного приемника и GaAlAs меза-эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения для бесконтактной коммутации цепей постоянного тока с
гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: КТ-2.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.402 ТУ.
3ОТ127Г
Оптопары транзисторные 3ОТ127Г, состоящие из кремниевого эпитаксиоально-планарного n-p-n транзисторного приемника и GaAlAs меза-эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения для бесконтактной коммутации цепей постоянного тока с
гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: КТ-2.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.402 ТУ.
3ОТ127В
Оптопары транзисторные 3ОТ127В, состоящие из кремниевого эпитаксиоально-планарного n-p-n транзисторного приемника и GaAlAs меза-эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения для бесконтактной коммутации цепей постоянного тока с
гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: КТ-2.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.402 ТУ.
3ОТ123Ж
Оптопары транзисторные 3ОТ123Ж, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого эпитаксиоально-планарного n-p-n транзисторного приемника.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения для бесконтактной коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Тип корпуса: КТ-2.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.201ТУ.
3ОТ123Е
Оптопары транзисторные 3ОТ123Е, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого эпитаксиоально-планарного n-p-n транзисторного приемника.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения для бесконтактной коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Тип корпуса: КТ-2.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.201ТУ.
3ОТ123Д
Оптопары транзисторные 3ОТ123Д, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого эпитаксиоально-планарного n-p-n транзисторного приемника.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения для бесконтактной коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Тип корпуса: КТ-2.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.201ТУ.
АОУ103В
Оптопары тиристорные АОУ103В, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого тиристора.
Предназначены для использования в качестве управляемого ключа в узлах радиоэлектронной аппаратуры, в которых требуется гальваническая развязка между выходной цепью и цепями управления.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса прибора не более 1,2 г.
Технические условия: УЖ0.336.062 ТУ.
3ОТ123Г
Оптопары транзисторные 3ОТ123Г, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.201ТУ, П0.070.052.

Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ123Г:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 4 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 4 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 15 В;
• Максимальный выходной ток: 20 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
3ОТ123В
Оптопары транзисторные 3ОТ123В, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.201ТУ, П0.070.052.

Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ123В :
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,3 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 4 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 4 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 10 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
3ОТ123Б
Оптопары транзисторные 3ОТ123Б, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.201ТУ, П0.070.052.

Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ123Б:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 4 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 4 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 20 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
3ОТ110Г
Оптопары транзисторные 3ОТ110Г, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора.
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
Технические условия: аА0.339.064ТУ, П0.070.052.

Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ110Г:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 110 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 15 В;
• Максимальный выходной ток: 200 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВт
3ОТ110В
Оптопары транзисторные 3ОТ110В, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора.
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
Технические условия: аА0.339.064ТУ, П0.070.052.

Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ110В:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 110 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 100 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВт
3ОТ102В
Оптопары транзисторные 3ОТ102В двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: ТТ3.439.001ТУ
3ОТ102Б
Оптопары транзисторные 3ОТ102Б двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: ТТ3.439.001ТУ
3ОТ102А
Оптопары транзисторные 3ОТ102А, двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: ТТ3.439.001ТУ
Товары 1 - 20 из 142
Начало | Пред. | 1 2 3 4 5 | След. | Конец
Выводить по: 20

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.