+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы силовые и модули

Цены приведены с учетом НДС

МТКД3-80-8
Силовой полупроводниковый беспотенциальный модуль МТКД3-80-8, состоит из двух биполярных транзисторов Дарлингтона, соединенных по схеме "два полупроводниковых прибора, включенных последовательно (согласно) с выводом средней точки".
Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок.
Максимально допустимый ток ........ 80 А;
Максимально допустимое напряжение коллектор - эмиттер ........ 800 В.
МУ-200
Высоковольтный модуль усилителя мощности МУ-200 с пробивным напряжением не менее 800 В на базе кремниевого эпитаксиально-планарного полевого n-канального транзистора типа 2П820А-5.
Предназначен для работы в аппаратуре специального назначения.
Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-56.
Технические условия: КФДЛ.435713.001 ТУ.

Основные характеристики:
- Напряжение питания UСИ = 800 В;
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
- RСИ отк = 0,8 Ом;
- Начальный ток стока IC = 0,1 мА;
8 328.00 руб
М44266
М44266 модуль усилителя мощности S-диапазона (паллет).
Предназначен для применения в модулях АФАР, перспективных и модернизируемых РЛС больших и средних высот, системах опознования и телеметрии.
Технические условия: АПНТ.434810.162 ТУ.

Основные характеристики:
- Рабочий диапазон:2,7-3,1 ГГц;
- Габариты 38×70×13 мм
- Выходная мощность: 80 Вт;
- Напряжение питания 35 В;
- Вход/выход 50 Ом;
- Коэффициент усиления по мощности 10 дБ;
- Класс АВ.
38 928.00 руб
М44265
М44265 модуль усилителя мощности S-диапазона (паллет).
Предназначен для применения в модулях АФАР, перспективных и модернизируемых РЛС больших и средних высот, системах опознования и телеметрии.
Технические условия: АПНТ.434810.162 ТУ.

Основные характеристики:
- Рабочий диапазон:2,7-3,1 ГГц;
- Габариты 70×70×13 мм;
- Выходная мощность: 300 Вт;
- Напряжение питания 35 В;
- Вход/выход 50 Ом;
- Коэффициент усиления по мощности 8 дБ;
- Класс АВ.
65 568.00 руб
М42289
М42289 модуль усилителя мощности СВЧ диапазона.
Предназначен для применения в изделиях специального назначения.
328 140.00 руб
М42288
М42288 модуль усилителя мощности СВЧ диапазона.
Предназначен для применения в изделиях специального назначения.
328 140.00 руб
М421354
М421354 модуль усилителя мощности.
Модуль усилителя мощности М421354 предназначен для использования в усилителях мощности ВЧ-диапазона
Технические условия: АПНТ.434810.142ТУ.

Основные характеристики:
- Рабочий диапазон: 3-30 МГц;
- Габариты: 225×125×46 мм;
- Выходная мощность: 1000 Вт;
- Напряжение питания: 50 В;
- Вход/выход: 50 Ом;
- Коэффициент усиления по мощности: 20 дБ (мин.);
- Класс АВ.
114 924.00 руб
ТКД165-200-5
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 200А
Максимальное напряжение коллектор-база - 500В

Структура условного обозначения:
ТКД165-200-5-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
200 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
5 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД152-40-3
Транзистор силовой биполярный n-p-n типа.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 40А
Максимальное напряжение коллектор-база - 300В

Структура условного обозначения:
ТКД152-40-6-ХХХ:
ТКД - транзистор биполярный n-p-n типа;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
5 - обозначение типоразмера;
2 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
40 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
3 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД265-125-9
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 125А
Максимальное напряжение коллектор-база - 900В

Структура условного обозначения:
ТКД265-125-9-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
2 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
125 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
9 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД265-125-8
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 125А
Максимальное напряжение коллектор-база - 800В

Структура условного обозначения:
ТКД265-125-8-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
2 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
125 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
8 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД265-125-6
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 125А
Максимальное напряжение коллектор-база - 600В

Структура условного обозначения:
ТКД265-125-3-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
2 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
125 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
6 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД265-125-3
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 125А
Максимальное напряжение коллектор-база - 300В

Структура условного обозначения:
ТКД265-125-3-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
2 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
125 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
3 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД165-125-9
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 125А
Максимальное напряжение коллектор-база - 900В

Структура условного обозначения:
ТКД165-125-9-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
125 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
9 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД165-125-8
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 125А
Максимальное напряжение коллектор-база - 800В

Структура условного обозначения:
ТКД165-125-8-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
125 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
8 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД165-125-7
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 125А
Максимальное напряжение коллектор-база - 700В

Структура условного обозначения:
ТКД165-125-7-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
125 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
7 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД165-125-6
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 125А
Максимальное напряжение коллектор-база - 600В

Структура условного обозначения:
ТКД165-125-6-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
125 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
6 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД165-100-9
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 100А
Максимальное напряжение коллектор-база - 900В

Структура условного обозначения:
ТКД165-100-9-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
100 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
9 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД165-100-2
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 100А
Максимальное напряжение коллектор-база - 200В

Структура условного обозначения:
ТКД165-100-2-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
100 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
2 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
ТКД152-63-4
Транзистор силовой биполярный n-p-n типа.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 63А
Максимальное напряжение коллектор-база - 400В

Структура условного обозначения:
ТКД152-40-6-ХХХ:
ТКД - транзистор биполярный n-p-n типа;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
5 - обозначение типоразмера;
2 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
63 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
4 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения
Товары 1 - 20 из 31
Начало | Пред. | 1 2 | След. | Конец
Выводить по: 20

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.