Транзисторы

IRFP240
Транзистор IRFP240 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 20,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,18 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF630N
Транзистор IRF630N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 9,3 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,4 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

TIP125
Транзисторы TIP125 кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, составные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

SS8050
Транзистор SS8050 кремниевый, биполярный, структуры n-p-n для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF3205PBF
IRF3205PBF n-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 110 А.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

TIP126
Транзисторы TIP126 кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, составные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TIP121
Транзисторы TIP121 кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, составные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BUX98A
Транзисторы BUX98A кремниевые планарные структуры n-p-n.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г.
Тип корпуса: TO-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +200 °C.

BD140
Транзисторы BD140 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: ТО-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BD139
Транзисторы BD139 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: ТО-126.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BD138
Транзисторы BD138 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: ТО-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF9520
Транзистор IRF9520 мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -100 В.
Максимальный ток стока: -6,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,60 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF7303
Транзистор IRF7303 мощный, 2-х n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 30 В.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SO-8.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF6216
Транзистор IRF6216 мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -150 В.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SO-8.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF3415
Транзистор IRF3415 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 150 В.
Максимальный ток стока: 43 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,042 Ом.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

PN2222A
Транзисторы PN2222A кремниевые, средней мощности, общего применения, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

MMBTA42
Транзисторы MMBTA42 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высоковольтные с защитой от перенапряжения.
Тип корпуса:  SOT-23.

Основные технические характеристики транзистора MMBTA42:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Постоянная рассеиваемая мощность: 300 мВт;
• Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 50 МГц;
• Максимальное напряжение коллектор-база: 300 В;
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В;
• Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;
• Статический коэффициент передачи тока: не менее 30.

MMBT2222A
Транзисторы MMBT2222A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Тип корпуса:  SOT-23.

Основные технические характеристики транзистора MMBT2222A:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Постоянная рассеиваемая мощность: 350 мВт;
• Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 300 МГц;
• Максимальное напряжение коллектор-база: 75 В;
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В;
• Статический коэффициент передачи тока: не менее 100.

IRG4PC50UD
Транзистор IRG4PC50UD биполярный с изолированным затвором (IGBT).
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В.
Максимальный непрерывный ток коллектора: 55 А.
Максимальное рассеяние мощности: 200 Вт.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFZ34N
Транзистор IRFZ34N N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 30 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,035 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.