Кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор 2Т399А в металлостеклянном корпусе, предназначенный для работы в усилительных схемах. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
(при t=25±10) C
| Наименование параметра, единица измерения, режим измерения | Норма | |
|---|---|---|
| не менее | не более | |
| Статический коэффициент передачи тока, (UКБ=1В, IК=5мА) | 40 | - |
| Обратный ток коллектора, мкА (UКБ=15В) | - | 0,5 |
| Обратный ток эмиттера, мкА (UЭБ=3В) | - | 1 |
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКБ=5В, IЭ=10мА, f=3∙108Гц) | 6 | - |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (UКБ=5В, IЭ=10мА, f=3∙107 Гц) | - | 8 |
| Емкость коллекторного перехода, пФ (UЭБ=5В, f=3∙107 Гц) | - | 1,7 |
| Емкость эмиттерного перехода, пФ (UЭБ=1В, f=3∙107 Гц) | - | 3 |
| Коэффициент шума, дБ (UКБ=5В, IЭ=5мА, f=3∙108 Гц, Rr-оптимальное по КТД) | - | 2 |
Содержание драгоценных металлов в 1000 шт.
Сведения о приёмке:
