2Т399А кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор, технические характеристики, параметры

2Т399А кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор, технические характеристики, параметры

Кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор 2Т399А в металлостеклянном корпусе, предназначенный для работы в усилительных схемах. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Технические условия: СБ0.336.066 ТУ.

2Т399А, КТ399А

Рис.1. Габаритные размеры и схема расположения выводов транзистора 2Т399А.

Основные электрические параметры 2Т399А:

(при t=25±10) C

Наименование параметра, единица измерения, режим измерения	Норма
Наименование параметра, единица измерения, режим измерения	не менее	не более
Статический коэффициент передачи тока, (UКБ=1В, IК=5мА)	40	-
Обратный ток коллектора, мкА (UКБ=15В)	-	0,5
Обратный ток эмиттера, мкА (UЭБ=3В)	-	1
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКБ=5В, IЭ=10мА, f=3∙108Гц)	6	-
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (UКБ=5В, IЭ=10мА, f=3∙107 Гц)	-	8
Емкость коллекторного перехода, пФ (UЭБ=5В, f=3∙107 Гц)	-	1,7
Емкость эмиттерного перехода, пФ (UЭБ=1В, f=3∙107 Гц)	-	3
Коэффициент шума, дБ (UКБ=5В, IЭ=5мА, f=3∙108 Гц, Rr-оптимальное по КТД)	-	2

Содержание драгоценных металлов в 1000 шт.

золото - 10,4118 гр.
в том числе:
золото - 9,6∙10-5 гр/мм на четырёх выводах длинной 13.5 мм.

Сведения о приёмке:

Транзисторы 2Т399А соответствуют техническим условиям: СБ0.336.066 ТУ.
Транзисторы ОСМ 2Т399А соответствуют техническим условиям: СБ0.336.066ТУ, П0.070.052.