Диоды кремниевые импульсные с барьером Шоттки 2Д419А, 2Д419Б, 2Д419В с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
■ Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
■ Тип диода приводится на корпусе.
■ Отрицательный вывод со стороны кристалла.
■ Технические условия: аА0.339.156ТУ, ПО.070.052.
Параметр |
Значение |
| Iпр=1 мА | 0,4 В |
| Iпр=0.1 мА | 0,15 В |
| При Т=-60 С и Iпр=0,1 мА | 0,5 В |
| Постоянный обратный ток при Uобр=15В, не более | 10 мкА |
| Общая ёмкость диода при Uобр=0, не более | 1,5 пФ |
Постоянное обратное напряжение при Т≤+35 С |
|
| 2Д419А | 15 В |
| 2Д419Б | 30 В |
| 2Д419В | 50 В |
Постоянное обратное напряжение при Т=+125 С |
|
| 2Д419А | 10 В |
| 2Д419Б | 24 В |
| 2Д419В | 40 В |
| Постоянный выпрямленный ток | 10 мА |
| Температура окружающей среды | -60…+125 С |
Масса диода: не более 0,035 г.
Производитель: ОАО «Оптрон»
