Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные. Рабочим элементом является полупроводниковая структура типа p-i-n. Предназначены для применения в коммутационных устройствах сантиметрового и дециметрового длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами. Тип диода приводится на этикетке. Маркируются цветными точкам: 2А507А – черной, КА507А – двумя чёрными, 2А507Б – желтой, КА507А – двумя желтыми, КА507В – двумя красными. Положительный вывод со стороны крышки. Масса диода не более 1,3 г.
Тип корпуса приведён на рисунке 1.
Рис. 1 – Тип корпуса СВЧ диодов 2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б, КА507В.
Критическая частота при Pпд=1 мВт, Iпр=100 мА, Uобр=100 В, λ=7 см, не менее:
- 2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б 200 ГГц
- КА507В 150 ГГц
При Т=-60 и +100 С для 2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б 180 ГГц
Накопленный заряд диода 200 нКл
Прямое сопротивление потерь не более:
- 2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б 1,5 Ом
- КА507В 2,5 Ом
Общая емкость при Uобр=100 В:
- 2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б 0,08..1,2 пФ
- КА507В 0,65..1,2 пФ
Емкость корпуса 0,3..0,45 пФ
Постоянное обратное напряжение 200 В
Мгновенное обратное напряжение
- 2А507А, КА507А 500 В
- 2А507Б, КА507Б, КА507В 300 В
Постоянный прямой ток 200 мА
Рассеиваемая мощность
- При Т=-60..+35 С 5 Вт
- При Т=100С 2Вт
Температура окружающей среды -60..+100 С
Диоды кремниевые (на основе ионной технологии), переключательные. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n. Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазона длин волн герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с гибкими выводами. Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте. Масса диода не более 0,05 г.
Внешний вид (в спец. упаковке) приведён на рисунке 2.
Рис. 2 – Внешний вид (в спец. упаковке) переключательных СВЧ диодов 2А508А-1, КА508А-1.
Потери пропускания при Рпд=1 Вт, Iпр=0, f=9370 МГц, не более:
- При Т=25 С 0,4 дБ
- При Т=-60..+125 С для 2А508А-1 0,6 дБ
Время прямого восстановления при Iпр=100 мА, f=1000 Гц, tи=100 мкс, Rн=100 Ом, не более 6 мкс
Время обратного восстановления при Iпр=100 мА, f=1000 Гц, tи=100 мкс, Rн=100 Ом, не более 40 мкс.
Постоянное обратное напряжение при Т=-60..+85 С 100В
Постоянный прямой ток при тех же условиях 500 мА
Рассеиваемая СВЧ мощность при Т=-60..+60 С для 2А508А-1 и Т=-60..+35 С для КА508А-1 1,5 Вт
Коммутируемая импульсная СВЧ мощность при tи=1 мкс и Q=1000 в резонансной щели 0,8 кВт
Температура окружающей среды:
- 2А508А-1 -60..+125 С
- КА508А-1 -60..+85 С.
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа p-i-n. Предназначены для применения в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового, диапазонов длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится на вкладыше, который помещается с диодом в индивидуальную тару. Маркируются цветными точками и черточками: 2А509А – красной точкой, КА509А – красной черточкой, 2А509Б – синей точкой, КА509Б – синей черточкой, КС509В – черной черточкой. Положительный вывод со стороны крышки.
Критическая частота при Рпд=1 мВт, Iпр=25 мА, Uобр=100 В, λ=7 см, не менее:
- При Т=25 С 2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б 150 ГГц , КА509В 100 ГГц
- При Т=100 С для 2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б 100 ГГц
Накопленный заряд при Iпр=25 мА, не более 25 нКл
Пробивное напряжение при Iобр=10 мА, f=5 кГц, tи=3 мкс, не менее 200 В
Общая емкость при Uобр=100 В:
- 2А509А, КА509А 0,9..1,2 пФ
- 2А509Б, КА509Б 0,7..1 пФ КА509В 0,5..1,2 пФ
Емкость корпуса 0,3..0,45 пФ
Постоянное обратное напряжение 150 В
Мгновенное напряжение 175 В
Постоянный прямой ток 100 мА
Рассеиваемая мощность:
- Тк=-60..+35 С 2 Вт
- Тк=+100 С 1 Вт
Температура окружающей среды -60..+100 С
Диоды кремниевые планарно-эпитаксиальные, ограничительные. Предназначены для применения в устройствах ограничения и стабилизации СВЧ мощности, защиты входных цепей приёмников сантиметрового и дециметрового, диапазонов длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Маркируются цветными точками: 2А510А – одной черной, КА510А – двумя черными, КА510Б – двумя зелеными, 2А510В – одной желтой, КА510В – двумя желтыми, КА510Г – черной и зеленой, КА510Д – черной и желтой, КА510Е – зеленой и желтой. Масса диода не более 0.15 г.
Тип корпуса приведен на рисунке 3.
Рис. 3 – Тип корпуса кремниевых планарно-эпитаксиальных, ограничительных СВЧ диодов 2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б, КА510В, КА510Г, КА510Д, КА510Е.
Сопротивление СВЧ диода при высоком значении СВЧ мощности и Iпр=100 мА, не более:
- 2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б, КА510В 1,5 Ом
- КА510Г, КА510Д, КА510Е 2,5 Ом
Сопротивление СВЧ диода при низком значении СВЧ мощности Рпд=1 мВт, f=4,5 ГГц, не более:
- При Т=-60..+25 С:
2А510А, КА510А, КА510Г 15 Ом
2А510Б, КА510Б, КА510Д 9 Ом
2А510В, КА510В, КА510Е 5 Ом
- При Т=+125 С:
2А510А, КА510А, КА510Г 25 Ом
2А510Б, КА510Б, КА510Д 15 Ом
2А510В, КА510В, КА510Е 8 Ом
Накопленный заряд при Iпр=100 мА, не более 10 нКл
Время прямого восстановления при Рпд=1 мВт, Iпр=100мА, f=4,5 ГГц не более 1 нс
Время обратного восстановления при Рпд=1 мВт, Iпр=0, f=4,5 ГГц, не более 230 нс
Пробивное напряжение не менее 30 В
Общая емкость при Uобр=0 и f=10 МГц:
- 2А510А, КА510А 0,7..1,4 пФ
- 2А510Б, КА510Б 1,2..2,4 пФ
- 2А510В, КА510В 2,2..3,4 пФ
- КА510Г не менее 0,6 пФ
- КА510Е не более 3,6 пФ
Емкость корпуса 0,25..0,3 пФ
Постоянное обратное напряжение 25 В
Постоянный прямой ток 200 мА
Рассеиваемая мощность:
- При Тк=-60..+50 С 1 Вт
- При Тк=+125 С 0,25 Вт
Температура перехода +150 С
Температура окружающей среды -60..+125 С
Диод кремниевый, диффузионный, переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн. Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода в виде первой цифры приводится на корпусе. Масса диода не более 0,25 г.
Качество диода на высоком уровне мощности при Рпд.и≤10 кВт, Iпр=500 мА и Uсм=50 В, не менее 700
Качество диода на низком уровне мощности при Рпд≤1 Вт, Iпр=500 мА, Uсм=50 В, f=3 ГГц, не менее, при:
- Т=+25 С 2500
- Т=+125 С 1500
- Т=-60 С 1750
Прямое сопротивление потерь при Рпд≤1 Вт, Iпр=500 мА, f=3 ГГц, не более 2 Ом
Общая емкость при Uобр=200 В, Рпд≤1 Вт, f=10..30 МГц 0,55..0,75 пФ
Постоянное обратное напряжение 50..200В
Постоянный прямой ток 700 мА
Импульсная падающая СВЧ мощность в коаксиале с W=50 Ом 10 кВт
Температура окружающей среды -60..+100 С
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа p-i-n. Предназначены для применения в коммутационных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится на этикетке. Положительный вывод со стороны крышки. Масса диода не более 1,3 г.
Критическая частота при Рпд=1 мВт, Iпр=100 мА, λ=7±0,1см, не менее:
- При Т=+25 С:
2А520А, КА520А 200 ГГц
КА520Б 150 ГГц
- При Т=-60 и +125 С 170 ГГц
Прямое сопротивление потерь при Рпд=1 мВт, Iпр=100 мА, λ=7±0,1см, не более:
- При Т=+25 С:
2А520А, КА520А 2 Ом
КА520Б 3 Ом
- При Т=-60 и +125 С 2,3 Ом
Накопленный заряд при Iпр=100 мА, не более 300 нКл
Пробивное напряжение при Iпр=100 мкА, не менее:
- 2А520А, КА520А 800 В
- КА520Б 600 В
Общая емкость при Uобр=0 и f=10 Мгц 0,4..1 пФ
Емкость корпуса 0,3..0,45 пФ
Индуктивность диода, не более 0,45 нГн
Постоянное обратное напряжение 300В
Мгновенное обратное напряжение 750 В
Постоянный прямой ток 200 мА
Рассеиваемая мощность:
- При Тк=-60..+35 С 4 Вт
- При Тк=+125 С 1,3 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при tи=1 мкс:
- При Тк=-60..+35 С 10 кВт
- При Тк=+125 С 3,2 кВт
Температура окружающей среды -60..+125 С
|
|
|
