+7(473) 277-14-34
+7(473) 277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы 2Т630А, 2Т630А-5, 2Т630Б, КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные для применения в линейных и ключевых схемах

shadow



Транзисторы 2Т630А, 2Т630А-5, 2Т630Б, КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные для применения в линейных и ключевых схемах




Транзисторы типов 2Т630А, 2Т630А-5, 2Т630Б-5, 2Т630Б, КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е - кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Транзисторы 2Т630А-5, 2Т630Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,005 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».

Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.146 ТУ.
- приемка «5» ЮФ3.365.043ТУ;
- приемка «9» ЮФ3.365.043ТУ, аА0.339.190ТУ.


 2Т630А, 2Т630А-5, 2Т630Б, КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е

Рис.1 Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т630А, 2Т630Б, КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е

Технические характеристики транзисторов


2Т630А, 2Т630Б, 2Т630А-5, 2Т630Б-5:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
2Т630А n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 40…120 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
2Т630Б n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 80…240 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
2Т630А-5 n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 40…120 <0,3 <100 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
2Т630Б-5 n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 40…120 <0,3 <100 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125

КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
КТ630А n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 40…120 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
КТ630Б n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 80…240 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
КТ630В n-p-n 1 2 150 150 7 0,8 40…120 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
КТ630Г n-p-n 1 2 100 100 5 0,8 40…120 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
КТ630Д n-p-n 1 2 60 60 5 0,8 80…240 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
КТ630Е n-p-n 1 2 60 60 5 0,8 160…480 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
СК - емкость коллекторного перехода.
СЭ - емкость коллекторного перехода.
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.