▼ Транзисторы n-p-n 2Т643А-2, 2Т643А-5, 2Т643Б-2, КТ643А-2 для применения в усилительных и генераторных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем..
Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 2…8 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от неблагоприятной окружающей среды.
Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643Б-2, КТ643А-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами. Климатическое исполнение УХЛ. Транзистор 2Т643А-5 выполнен в виде кристалла с контактными площадками без кристаллодержателя и выводов.
На транзисторы наносится условная маркировка: 2Т643А-2 - зеленая точка, 2Т643Б-2 - желтая точка, КТ643А-2 - две зеленые точки.
Масса бескорпусного транзистора - не более 0,2 г, кристалла - не более 0,0001 г.
Изготовитель - завод «Пульсар», г. Москва.
Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643Б-2 соответствуют техническим условиям аА0.339.138 ТУ.
Параметр | 2Т643А-2 | 2Т643А-5 | 2Т643Б-2 | КТ643А-2 |
---|---|---|---|---|
Iк max, мА |
120 |
120 |
120 |
120 |
Uпит max, В |
15 |
- |
15 |
15 |
Uкб0 max, В |
25 |
25 |
25 |
25 |
Uэб0 max, В |
3 |
3 |
3 |
3 |
Р max, Вт |
1,1 |
1,1 |
1,1 |
1,1 |
Тк, ºС |
50 |
50 |
50 |
50 |
Тп max, ºС |
150 |
150 |
150 |
150 |
Тк max, ºС |
125 |
125 |
125 |
125 |
Iкбо, мА |
1 |
1 |
1 |
1 |
h21Э |
- |
- |
50…150 |
- |
fгр, ГГц |
7 |
7 |
7 |
3,8 |
Pвых, мВт |
480 |
480 |
480 |
450 |
Кур |
- |
- |
- |
2,5 |
Ск, пФ |
1,5 |
1,5 |
1,5 |
1,8 |
Сэ, пФ |
7 |
7 |
7 |
7 |
Rт п-с, ºС/Вт |
90 |
90 |
90 |
90 |
■ Iк max - максимально допустимый ток коллектора;
■ Uпит max - максимально допустимое напряжение питания;
■ Uкб0 max - максимально допустимое напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю;
■ Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;
■ Р max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность;
■ Тк - температура корпуса;
■ Тп max - максимально допустимая температура перехода;
■ Тк max - максимально допустимая температура корпуса;
■ Iкбо - обратный ток коллектора;
■ h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;
■ fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;
■ Pвых - выходная мощность при рабочей частоте 7 ГГц;
■ Кур - коэффициент усиления по мощности при рабочей частоте 7 ГГц;
■ Ск - емкость коллекторного перехода;
■ Cэ - емкость эмиттерного перехода;
■ Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.
Значения Uпит max...Uэб0 max в таблице приведены при Тп = 25 ºС, значения Iкбо … Cэ - при Т = 25 ºС.