Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные для применения в переключающих устройствах и преобразователях.

▼ Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные для применения в переключающих устройствах и преобразователях.

Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б предназначены для работы в линейных и ключевых схемах, преобразователях и других устройствах специального назначения.

Изготавливаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса не более 2 г.

Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б соответствуют техническим условиям аА0.339.307 ТУ.

Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б

■ Iк max - максимально допустимый ток коллектора;

■ Iк и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора;

■ Uкэ0 гр - граничное напряжение биполярного транзистора;

■ Uкб0 max - максимально допустимое напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю;

■ Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;

■ Рк max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;

■ Тк - температура корпуса;

■ Тп max - максимально допустимая температура перехода;

■ Тк max - максимально допустимая температура корпуса;

■ h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;

■ Uкб - постоянное напряжение коллектор-база;

■ Iэ - постоянный ток эмиттера;

■ Uкэ нас, В - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

■ IкэR, мА - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи коллектор-эмиттер;

■ fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;

■ Ск - емкость коллекторного перехода;

■ Cэ - емкость эмиттерного перехода;

■ tнр - время нарастания для биполярного транзистора;

■ tрас - время рассеивания для биполярного транзистора;

■ Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.

Значения Uкэ0 гр…Uэб0 max в таблице приведены при Т = 25 ºС, значения h21Э…tрас - при Т = 25 ºС.