+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы 2Т808А, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ для работы в усилительных и переключающих схемах, технические характеристики, параметры, цоколевка, схема




Транзисторы 2Т808А, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ для работы в усилительных и переключающих схемах, технические характеристики, параметры, цоколевка, схема



Транзисторы 2Т808А, КТ808А - кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключающие мощные.
Транзисторы КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ - кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключающие мощные высоковольтные.
Предназначены для работы в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Климатическое исполнение: УХЛ, категории размещения : 2, 2.1, 3.1.
Изготавливаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Тип корпуса транзисторов:
  • 2Т808А, КТ808А - КТЮ-3-20.
  • КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ - КТ-9.

Масса транзисторов:
  • 2Т808А, КТ808А без накидного фланца - не более 22 г, с накидным фланцем - не более 34 г;
  • КТ808АМ...КТ808ГМ - не более 20 г.

Транзисторы соответствуют техническим условиям:
  • 2Т808А - Ге3.365.004 ТУ,
  • КТ808А - Ге3.365.020 ТУ,
  • КТ808АМ...КТ808ГМ - аА0.336.240 ТУ.

Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т808А, КТ808А.

Рис. 1. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т808А, КТ808А.

Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ.

Рис. 2. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ.



Технические характеристики транзисторов 2Т808А, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ:


Параметры 2Т808А КТ808А КТ808АМ КТ808БМ КТ808ВМ КТ808ГМ
Iк max, А 10 10 10 10 10 10
Iк, и max, А - - 12 12 12 12
Uкэ0 гр, В - - 130 100 80 70
UкэR max, В 120 120 - - - -
Uкб0 max, В - - 250 160 135 80
Uэб0 max, В 4 4 5 5 5 5
Рк max, Вт 50 50 60 60 60 60
Тк, ºС 50 50 50 50 50 50
Тп max, ºС 150 150 150 150 150 150
Тк max, ºС 125 100 - - - -
Т max, ºС - - 125 125 125 125
h21Э 10…50 10…50 20…125 20…125 20…125 20…125
Uкэ, В 3 3 3 3 3 3
Iк, А 6 6 2 2 2 2
Uкэ нас, В - - 2 2 2 2
Iкбо, мА - - 2 2 2 2
IкэR, мА 3 3 - - - -
fгр, МГц 8,4 8,4 10 10 10 10
Ск, пФ 500 500 - - - -
tвкл, мкс - - 2 2 2 2
tвыкл, мкс - - 4 4 4 4
tрас, мкс 2 2 - - - -
Rт п-к, ºС/Вт 2 2 1,67 1,67 1,67 1,67

Обозначения параметров в таблице:

Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора;

Iк, и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора;

Uкэ0 гр - граничное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю;

UкэR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер;

Uкб0 max - максимально допустимое напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю;

Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;

Рк max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;

Тк - температура корпуса;

Тп max - максимально допустимая температура перехода;

Тк max - максимально допустимая температура корпуса;

Т max - максимально допустимая температура окружающей среды;

h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;

Uкэ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер;

- постоянный ток коллектора;

Uкэ нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

Iкбо - обратный ток коллектора;

IкэR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер;

fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;

Ск - емкость коллекторного перехода;

tвкл - время включения биполярного транзистора; tвыкл - время выключения для биполярного транзистора;

tрас - время рассасывания для биполярного транзистора;

Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.


Значения Uкэ0 гр…Uэб0 max, h21Э…tвыкл в таблице приведены при Тп = 25 ºС.