Транзисторы 2Т808А, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ для работы в усилительных и переключающих схемах, технические характеристики, параметры, цоколевка, габаритные размеры

Транзисторы 2Т808А, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ для работы в усилительных и переключающих схемах, технические характеристики, параметры, цоколевка, габаритные размеры

Транзисторы 2Т808А, КТ808А - кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключающие мощные.
Транзисторы КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ - кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключающие мощные высоковольтные.
Предназначены для работы в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Климатическое исполнение: УХЛ, категории размещения : 2, 2.1, 3.1.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса транзисторов:

• 2Т808А, КТ808А - КТЮ-3-20.
• КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ - КТ-9.

Масса транзисторов:

• 2Т808А, КТ808А без накидного фланца - не более 22 г, с накидным фланцем - не более 34 г;
• КТ808АМ...КТ808ГМ - не более 20 г.

Транзисторы соответствуют техническим условиям:

• 2Т808А - Ге3.365.004 ТУ,
• КТ808А - Ге3.365.020 ТУ,
• КТ808АМ...КТ808ГМ - аА0.336.240 ТУ.

Рис. 1. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т808А, КТ808А.

Рис. 2. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ.

Технические характеристики транзисторов 2Т808А, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ:

Параметры	2Т808А	КТ808А	КТ808АМ	КТ808БМ	КТ808ВМ	КТ808ГМ
Iк max, А	10	10	10	10	10	10
Iк, и max, А	-	-	12	12	12	12
Uкэ0 гр, В	-	-	130	100	80	70
UкэR max, В	120	120	-	-	-	-
Uкб0 max, В	-	-	250	160	135	80
Uэб0 max, В	4	4	5	5	5	5
Рк max, Вт	50	50	60	60	60	60
Тк, ºС	50	50	50	50	50	50
Тп max, ºС	150	150	150	150	150	150
Тк max, ºС	125	100	-	-	-	-
Т max, ºС	-	-	125	125	125	125
h21Э	10…50	10…50	20…125	20…125	20…125	20…125
Uкэ, В	3	3	3	3	3	3
Iк, А	6	6	2	2	2	2
Uкэ нас, В	-	-	2	2	2	2
Iкбо, мА	-	-	2	2	2	2
IкэR, мА	3	3	-	-	-	-
fгр, МГц	8,4	8,4	10	10	10	10
Ск, пФ	500	500	-	-	-	-
tвкл, мкс	-	-	2	2	2	2
tвыкл, мкс	-	-	4	4	4	4
tрас, мкс	2	2	-	-	-	-
Rт п-к, ºС/Вт	2	2	1,67	1,67	1,67	1,67

Обозначения параметров в таблице:

■ Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора;

■ Iк, и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора;

■ Uкэ0 гр - граничное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю;

■ UкэR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер;

■ Uкб0 max - максимально допустимое напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю;

■ Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;

■ Рк max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;

■ Тк - температура корпуса;

■ Тп max - максимально допустимая температура перехода;

■ Тк max - максимально допустимая температура корпуса;

■ Т max - максимально допустимая температура окружающей среды;

■ h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;

■ Uкэ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер;

■ Iк - постоянный ток коллектора;

■ Uкэ нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

■ Iкбо - обратный ток коллектора;

■ IкэR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер;

■ fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;

■ Ск - емкость коллекторного перехода;

■ tвкл - время включения биполярного транзистора; tвыкл - время выключения для биполярного транзистора;

■ tрас - время рассасывания для биполярного транзистора;

■ Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.

Значения Uкэ0 гр…Uэб0 max, h21Э…tвыкл в таблице приведены при Тп = 25 ºС.