Транзисторы 2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В для применения в импульсных и переключающих устройствах

Транзисторы 2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В - кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.

Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах, для работы в выходных каскадах строчной развертки телевизоров и другой аппаратуре широкого применения.

Изготавливаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Климатическое исполнение УХЛ, категории размещения для транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В - 2, 2.1, 3.1.
Масса транзисторов не более 20 г.
Транзисторы 2Т812А, Б соответствуют техническим условиям аА0.339.193 ТУ, КТ812А, Б, В - аА0.336.052 ТУ.

Транзисторы 2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В

Рис. 1. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В.

Технические характеристики транзисторов 2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В:

Параметры	2Т812А	2Т812Б	КТ812А	КТ812Б	КТ812В
Iк max, А	10	10	8	8	8
Iк, и max, А	17	17	12	12	12
Uкэ0 гр, В	350	350	350	350	350
Uэб0 max, В	6	6	7	7	7
Рк max, Вт	50	50	50	50	50
Тк, ºС	50	50	50	50	50
Тп max, ºС	150	150	150	150	150
Тк max, ºС	125	125	85	85	85
h21Э	5…30	5…30	4	4	10…125
Uкэ, В	3	3	2,5	2,5	5
Iк, А	8	8	8	8	2,5
Uкэ нас, В	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5
Iкбо, мА	5	5	5	5	5
fгр, МГц	3,5	3,5	3,5	3,5	3,5
Ск, пФ	100	100	100	100	100
Сэ, пФ	2300	2300	2300	2300	2300
tсп, мкс	1,3	1,3	1,3	1,3	1,3
Rт п-к, ºС/Вт, не более	14	14	14	14	14

Обозначения параметров в таблице:

■ Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора;

■ Iк, и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора;

■ Uкэ0 гр - граничное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю;

■ Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;

■ Рк max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;

■ Тк - температура корпуса;

■ Тп max - максимально допустимая температура перехода;

■ Тк max - максимально допустимая температура корпуса;

■ h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;

■ Uкэ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер;

■ Iк - постоянный ток коллектора;

■ Uкэ нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

■ Iкбо - обратный ток коллектора;

■ fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;

■ Cк - емкость коллекторного перехода;

■ Сэ - емкость эмиттерного перехода;

■ tсп - время спада для биполярного транзистора;

■ Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.

Значения Uкэ0 гр…Uэб0 max, h21Э…tсп в таблице приведены при Тп = 25 ºС.