Транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т812А-2, 2Т818Б-2, 2Т818В-2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ для применения в усилителях и переключающих устройствах
Транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т812А-2, 2Т818Б-2, 2Т818В-2; КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ - кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах и другой аппаратуре широкого применения.
Транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ изготавливаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами, 2Т818А-2, 2Т818Б-2, 2Т818В-2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г - в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Климатическое исполнение УХЛ, категории размещения для транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г - 2, 2.1, 3.1.
Масса транзисторов в металлостеклянном корпусе не более 20 г, в пластмассовом - не более 2,5 г.
Транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В соответствуют техническим условиям аА0.339.141 ТУ, 2Т818А-2, 2Т818Б-2, 2Т818В-2 - аА0.339.557 ТУ, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ - аА0.336.188 ТУ.
Рис. 1. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ.
Рис. 2. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т818А-2, 2Т818Б-2, 2Т818В-2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г.
Технические характеристики транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г:
|
Наименование параметра
|
2Т818А
|
2Т818Б
|
2Т818В
|
КТ818АМ
|
КТ818БМ
|
КТ818ВМ
|
КТ818ГМ
|
|
Iк max, А
|
15
|
15
|
15
|
15
|
15
|
15
|
15
|
|
Iк, и max, А
|
20
|
20
|
20
|
20
|
20
|
20
|
20
|
|
Uкэ0 гр, В
|
80
|
60
|
40
|
25
|
60
|
60
|
80
|
|
Uкб0 max, В
|
100
|
80
|
60
|
-
|
-
|
-
|
-
|
|
Uэб0 max, В
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
|
Рк max, Вт
|
100
|
100
|
100
|
100
|
100
|
100
|
100
|
|
Тк, ºС
|
25
|
25
|
25
|
25
|
25
|
25
|
25
|
|
Тп max, ºС
|
150
|
150
|
150
|
125
|
125
|
125
|
125
|
|
Тк max, ºС
|
125
|
125
|
125
|
100
|
100
|
100
|
100
|
|
h21Э
|
20
|
20
|
20
|
20
|
20
|
20
|
20
|
|
Uкэ, В
|
-
|
-
|
-
|
5
|
5
|
5
|
5
|
|
Uкб, В
|
5
|
5
|
5
|
-
|
-
|
-
|
-
|
|
Iк, А
|
-
|
-
|
-
|
5
|
5
|
5
|
5
|
|
Iб, А
|
5
|
5
|
5
|
-
|
-
|
-
|
-
|
|
Uкэ нас, В
|
1
|
1
|
1
|
1
|
1
|
1
|
1
|
|
fгр, МГц
|
3
|
3
|
3
|
3
|
3
|
3
|
3
|
|
Ск, пФ
|
1000
|
1000
|
1000
|
1000
|
1000
|
1000
|
1000
|
|
tвыкл, мкс
|
2,5
|
2,5
|
2,5
|
2,5
|
2,5
|
2,5
|
2,5
|
|
Rт п-к, ºС/Вт
|
1,25
|
1,25
|
1,25
|
1
|
1
|
1
|
1
|
Технические характеристики транзисторов 2Т818А-2, 2Т818Б-2, 2Т818В-2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г:
|
Наименование параметра
|
2Т818А-2
|
2Т818Б-2
|
2Т818В-2
|
КТ818А
|
КТ818Б
|
КТ818В
|
КТ818Г
|
|
Iк max, А
|
15
|
15
|
15
|
10
|
10
|
10
|
10
|
|
Iк, и max, А
|
20
|
20
|
20
|
15
|
15
|
15
|
15
|
|
Uкэ0 гр, В
|
80
|
60
|
40
|
25
|
40
|
60
|
80
|
|
Uкб0 max, В
|
100
|
80
|
60
|
-
|
-
|
-
|
-
|
|
Uэб0 max, В
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
|
Рк max, Вт
|
40
|
40
|
40
|
60
|
60
|
60
|
60
|
|
Тк, ºС
|
25
|
25
|
25
|
25
|
25
|
25
|
25
|
|
Тп max, ºС
|
150
|
150
|
150
|
125
|
125
|
125
|
125
|
|
Тк max, ºС
|
100
|
100
|
100
|
100
|
100
|
100
|
100
|
|
h21Э
|
20
|
20
|
20
|
15
|
20
|
15
|
12
|
|
Uкб, В
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
|
Iк, А
|
-
|
-
|
-
|
5
|
5
|
5
|
5
|
|
Iэ, А
|
5
|
5
|
5
|
-
|
-
|
-
|
-
|
|
Uкэ нас, В
|
1
|
1
|
1
|
2
|
2
|
2
|
2
|
|
Iкбо, мА
|
-
|
-
|
-
|
1
|
1
|
1
|
1
|
|
fгр, МГц
|
3
|
3
|
3
|
3
|
3
|
3
|
3
|
|
Ск, пФ
|
1000
|
1000
|
1000
|
1000
|
1000
|
1000
|
1000
|
|
Сэ, пФ
|
2000
|
2000
|
2000
|
-
|
-
|
-
|
-
|
|
tвыкл, мкс
|
1,2
|
1,2
|
1,2
|
2,5
|
2,5
|
2,5
|
2,5
|
|
Rт п-к, ºС/Вт
|
3,13
|
3,13
|
3,13
|
1,67
|
1,67
|
1,67
|
1,67
|
Обозначения параметров в таблицах:
- Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора;
- Iк, и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора;
- Uкэ0 гр - граничное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю;
- Uкб0 max - максимально допустимое напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю;
- Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;
- Рк max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
- Тк - температура корпуса; Тп max - максимально допустимая температура перехода;
- Тк max - максимально допустимая температура корпуса;
- h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;
- Uкб - постоянное напряжение коллектор-база;
- Uкэ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер;
- Iк - постоянный ток коллектора;
- Iб - постоянный ток базы;
- Uкэ нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;
- Iкбо - обратный ток коллектора;
- fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;
- Ск - емкость коллекторного перехода;
- Сэ - емкость эмиттерного перехода;
- tвыкл - время выключения для биполярного транзистора;
- Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.
Значения Uкэ0 гр…Uэб0 max, h21Э…tвыкл в таблице приведены при Тп = 25 ºС.
