Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные. Предназначены для применения в усилителях, переключающих устройствах и другой аппаратуре широкого применения.
Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е изготавливаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами КТ-9.
Климатическое исполнение УХЛ.
Масса транзисторов не более 20 г.
| Параметры | 2Т825А | 2Т825Б | 2Т825В | КТ825Г | КТ825Д | КТ825Е |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Iк max, А | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| Iк, и max, А | 40 | 40 | 40 | 30 | 30 | 30 |
| Uкэ0 гр, В | 80 | 60 | 45 | 70 | 45 | 25 |
| Uэб0 max, В | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
| Рк max, Вт | 160 | 160 | 160 | 125 | 125 | 125 |
| Тк, ºС | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 |
| Тп max, ºС | 175 | 175 | 175 | 150 | 150 | 150 |
| Тк max, ºС | 125 | 125 | 125 | 100 | 100 | 100 |
| h21Э | 500…18000 | 750…18000 | 750…18000 | 750 | 750 | 750 |
| Uкб, В | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Iэ, А | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Uкэ нас, В | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| fгр, МГц | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| Ск, пФ | 600 | 600 | 600 | 600 | 600 | 600 |
| Сэ, пФ | 600 | 600 | 600 | 600 | 600 | 600 |
| tвкл, мкс | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| tвыкл, мкс | 4,5 | 4,5 | 4,5 | 4,5 | 4,5 | 4,5 |
| Rт п-к, ºС/Вт | 1,2 | 1,2 | 1,2 | 1 | 1 | 1 |
- Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора;
- Iк, и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора;
- Uкэ0 гр - граничное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю;
- Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;
- Рк max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
- Тк - температура корпуса;
- Тп max - максимально допустимая температура перехода;
- Тк max - максимально допустимая температура корпуса;
- h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;
- Uкб - постоянное напряжение коллектор-база;
- Iэ - постоянный ток эмиттера;
- Uкэ нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;
- fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;
- Ск - емкость коллекторного перехода;
- Сэ - емкость эмиттерного перехода;
- tвкл - время включения для биполярного транзистора;
- tвыкл - время выключения для биполярного транзистора;
- Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.
Значения Uкэ0 гр…Uэб0 max, h21Э…tвыкл в таблице приведены при Тп = 25 ºС.
Минимальная наработка транзисторов в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 25000 ч, а в облегченном режиме при мощности 0,5, токах и напряжениях не более 0,7 максимально допустимых значений - 40000 ч.
Минимальный срок сохраняемости транзисторов при хранении в отапливаемом хранилище или в хранилище с кондиционированием воздуха, а также транзисторов, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет.
