КТ815 транзисторы биполярные, усилительные, структуры n-p-n, технические характеристики, параметры, цоколевка, аналоги, схема, даташит
Транзисторы КТ815 кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Технические условия: аА0.336.185 ТУ/02.
Производитель: ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь.
Корпусное исполнение:
• КТ815 А, Б, В, Г - пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126);
• КТ815 А9, Б9, В9, Г9 - пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK).
Зарубежные аналоги:
• BD135 - Прототип КТ815Б;
• BD137 - Прототип КТ815В;
• BD139 - Прототип КТ815Г.
Рис.1 Установочные и габаритные размеры транзисторов КТ815.
Технические характеристики транзисторов КТ815:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельно допустимые электрические режимы
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭ
max
|
IБ
max
|
UЭБ
max
|
РК max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IКЭR
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мкА
|
мкА
|
МГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
КТ815А
|
n-p-n
|
1,5
|
3
|
40
|
0,5
|
5
|
10,0
|
>40
|
<0,6
|
<50
|
<100
|
>3
|
-
|
<60
|
<75
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ815Б
|
n-p-n
|
1,5
|
3
|
50
|
0,5
|
5
|
10,0
|
>40
|
<0,6
|
<50
|
<100
|
>3
|
-
|
<60
|
<75
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ815В
|
n-p-n
|
1,5
|
3
|
70
|
0,5
|
5
|
10,0
|
>40
|
<0,6
|
<50
|
<100
|
>3
|
-
|
<60
|
<75
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ815Г
|
n-p-n
|
1,5
|
3
|
100
|
0,5
|
5
|
10,0
|
>30
|
<0,6
|
<50
|
<100
|
>3
|
-
|
<60
|
<75
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ815А9
|
n-p-n
|
1,5
|
3
|
40
|
0,5
|
5
|
10,0
|
>40
|
<0,6
|
<50
|
<100
|
>3
|
-
|
<60
|
<75
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ815Б9
|
n-p-n
|
1,5
|
3
|
50
|
0,5
|
5
|
10,0
|
>40
|
<0,6
|
<50
|
<100
|
>3
|
-
|
<60
|
<75
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ815В9
|
n-p-n
|
1,5
|
3
|
70
|
0,5
|
5
|
10,0
|
>40
|
<0,6
|
<50
|
<100
|
>3
|
-
|
<60
|
<75
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ815Г9
|
n-p-n
|
1,5
|
3
|
100
|
0,5
|
5
|
10,0
|
>30
|
<0,6
|
<50
|
<100
|
>3
|
-
|
<60
|
<75
|
150
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов КТ815:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭ max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• IБ max - максимально допустимый постоянный ток базы.
• UЭБ max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость эмиттнрного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
- Транзисторы КТ815 технические характеристики, электрические параметры, описание
