+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

КТ815 транзисторы биполярные, усилительные, структуры n-p-n, технические характеристики, параметры, цоколевка, аналоги, схема, даташит




КТ815 транзисторы биполярные, усилительные, структуры n-p-n, технические характеристики, параметры, цоколевка, аналоги, схема, даташит

Транзисторы КТ815 кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Технические условия: аА0.336.185 ТУ/02.
Производитель: ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь.
Корпусное исполнение:
• КТ815 А, Б, В, Г - пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126);
• КТ815 А9, Б9, В9, Г9 - пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK).
Зарубежные аналоги:
• BD135 - Прототип КТ815Б;
• BD137 - Прототип КТ815В;
• BD139 - Прототип КТ815Г.


КТ815 транзисторы биполярные, структуры n-p-n


Рис.1 Установочные и габаритные размеры транзисторов КТ815.


Технические характеристики транзисторов КТ815:

Тип
транзистора
Структура Предельно допустимые электрические режимы Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭ
max
IБ
max
UЭБ
max
РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IКЭR f гp. КШ СК СЭ
А А В В В Вт В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
КТ815А n-p-n 1,5 3 40 0,5 5 10,0 >40 <0,6 <50 <100 >3 - <60 <75 150 -60…+125
КТ815Б n-p-n 1,5 3 50 0,5 5 10,0 >40 <0,6 <50 <100 >3 - <60 <75 150 -60…+125
КТ815В n-p-n 1,5 3 70 0,5 5 10,0 >40 <0,6 <50 <100 >3 - <60 <75 150 -60…+125
КТ815Г n-p-n 1,5 3 100 0,5 5 10,0 >30 <0,6 <50 <100 >3 - <60 <75 150 -60…+125
КТ815А9 n-p-n 1,5 3 40 0,5 5 10,0 >40 <0,6 <50 <100 >3 - <60 <75 150 -60…+125
КТ815Б9 n-p-n 1,5 3 50 0,5 5 10,0 >40 <0,6 <50 <100 >3 - <60 <75 150 -60…+125
КТ815В9 n-p-n 1,5 3 70 0,5 5 10,0 >40 <0,6 <50 <100 >3 - <60 <75 150 -60…+125
КТ815Г9 n-p-n 1,5 3 100 0,5 5 10,0 >30 <0,6 <50 <100 >3 - <60 <75 150 -60…+125


Условные обозначения электрических параметров транзисторов КТ815:

IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭ max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
IБ max - максимально допустимый постоянный ток базы.
UЭБ max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
h21Э - статический коэффициент передачи тока.
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО - обратный ток коллектора.
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер.
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
КШ - коэффициент шума транзистора.
СК - емкость коллекторного перехода.
СЭ - емкость эмиттнрного перехода.
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

  1. Транзисторы КТ815 технические характеристики, электрические параметры, описание