КТ837 транзисторы кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, переключательные, характеристики, параметры, цоколевка, схема, установочные и габаритные размеры, даташит
КТ837 транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Технические условия: аА0.336.403 ТУ.
Производитель:
- ЗАО "КРЕМНИЙ-МАРКЕТИНГ", г. Брянск, Россия (аА0.336.403 ТУ/04);
-
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Беларусь. (аА0.336.403 ТУ/03)
Рис.1 Установочные и габаритные размеры транзисторов КТ837.
Технические характеристики транзисторов КТ837:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
(РК. Т. max)
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
IКЭR
|
f гp.
|
СК
|
СЭ
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мА
|
мА
|
мА
|
МГц
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
КТ837А
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
70
|
80
|
15
|
1 (30)
|
10…40
|
<2,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837Б
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
70
|
80
|
15
|
1 (30)
|
20…80
|
<2,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837В
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
70
|
80
|
15
|
1 (30)
|
50…150
|
<2,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837Г
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
55
|
60
|
15
|
1 (30)
|
10…40
|
<0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837Д
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
55
|
60
|
15
|
1 (30)
|
20…80
|
<0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837Е
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
55
|
60
|
15
|
1 (30)
|
50…150
|
<0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837Ж
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
40
|
45
|
15
|
1 (30)
|
10…40
|
<0,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837И
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
40
|
45
|
15
|
1 (30)
|
20…80
|
<0,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837К
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
40
|
45
|
15
|
1 (30)
|
50…150
|
<0,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837Л
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
70
|
80
|
5
|
1 (30)
|
10…40
|
<2,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837М
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
70
|
80
|
5
|
1 (30)
|
20…80
|
<2,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837Н
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
70
|
80
|
5
|
1 (30)
|
50…150
|
<2,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837П
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
55
|
60
|
5
|
1 (30)
|
10…40
|
<0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837Р
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
55
|
60
|
5
|
1 (30)
|
20…80
|
<0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837С
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
55
|
60
|
5
|
1 (30)
|
50…150
|
<0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837Т
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
40
|
45
|
5
|
1 (30)
|
10…40
|
<0,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837У
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
40
|
45
|
5
|
1 (30)
|
20…80
|
<0,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837Ф
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
40
|
45
|
5
|
1 (30)
|
50…150
|
<0,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
КТ837Х
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
180
|
180
|
5
|
1 (30)
|
>15
|
<0,5
|
<0,15
|
<0,3
|
<10
|
>1
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов КТ837:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
