+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

КТ837 транзисторы кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, переключательные, характеристики, параметры, цоколевка, схема, установочные и габаритные размеры, даташит




КТ837 транзисторы кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, переключательные, характеристики, параметры, цоколевка, схема, установочные и габаритные размеры, даташит


КТ837 транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Технические условия: аА0.336.403 ТУ.
Производитель:
  1. ЗАО "КРЕМНИЙ-МАРКЕТИНГ", г. Брянск, Россия (аА0.336.403 ТУ/04);
  2. ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Беларусь. (аА0.336.403 ТУ/03)

Транзистор КТ837

Рис.1 Установочные и габаритные размеры транзисторов КТ837.



Технические характеристики транзисторов КТ837:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max
К. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С
КТ837А p-n-p 7,5 - 70 80 15 1 (30) 10…40 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Б p-n-p 7,5 - 70 80 15 1 (30) 20…80 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837В p-n-p 7,5 - 70 80 15 1 (30) 50…150 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Г p-n-p 7,5 - 55 60 15 1 (30) 10…40 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Д p-n-p 7,5 - 55 60 15 1 (30) 20…80 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Е p-n-p 7,5 - 55 60 15 1 (30) 50…150 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Ж p-n-p 7,5 - 40 45 15 1 (30) 10…40 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837И p-n-p 7,5 - 40 45 15 1 (30) 20…80 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837К p-n-p 7,5 - 40 45 15 1 (30) 50…150 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Л p-n-p 7,5 - 70 80 5 1 (30) 10…40 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837М p-n-p 7,5 - 70 80 5 1 (30) 20…80 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Н p-n-p 7,5 - 70 80 5 1 (30) 50…150 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837П p-n-p 7,5 - 55 60 5 1 (30) 10…40 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Р p-n-p 7,5 - 55 60 5 1 (30) 20…80 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837С p-n-p 7,5 - 55 60 5 1 (30) 50…150 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Т p-n-p 7,5 - 40 45 5 1 (30) 10…40 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837У p-n-p 7,5 - 40 45 5 1 (30) 20…80 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Ф p-n-p 7,5 - 40 45 5 1 (30) 50…150 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Х p-n-p 7,5 - 180 180 5 1 (30) >15 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100


Условные обозначения электрических параметров транзисторов КТ837:

IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
СК - емкость коллекторного перехода.
СЭ - емкость коллекторного перехода.
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.