+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г транзисторы биполярные, составные, структуры n-p-n, усилительные, технические характеристики, электрические параметры, цоколевка, даташит




КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г транзисторы биполярные, составные, структуры n-p-n, усилительные, технические характеристики, электрические параметры, цоколевка, даташит


Транзисторы КТ829 А, Б, В, Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: аА0.336.292ТУ.


КТ829 транзисторы кремниевые структуры n-p-n составные усилительные


Рис.1 Установочные и габаритные размеры транзисторов кт829.


Технические характеристики транзисторов КТ829:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IБ IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт В А мА мА МГц пФ пФ °С °С
КТ829А n-p-n 8 12 100 - 5 60 >750 <2 0,2 <2 <1,5 >4 <120 - 150 -40…+85
КТ829Б n-p-n 8 12 80 - 5 60 >750 <2 0,2 <2 <1,5 >4 <120 - 150 -40…+85
КТ829В n-p-n 8 12 60 - 5 60 >750 <2 0,2 <2 <1,5 >4 <120 - 150 -40…+85
КТ829Г n-p-n 8 12 45 - 5 60 >750 <2 0,2 <2 <1,5 >4 <120 - 150 -40…+85


Условные обозначения электрических параметров транзисторов КТ829:

IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IБ - постоянный ток базы.
IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
СК - емкость коллекторного перехода.
СЭ - емкость коллекторного перехода.
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.