КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г транзисторы биполярные, составные, структуры n-p-n, усилительные, технические характеристики, электрические параметры, цоколевка, даташит
Транзисторы КТ829 А, Б, В, Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: аА0.336.292ТУ.
Рис.1 Установочные и габаритные размеры транзисторов кт829.
Технические характеристики транзисторов КТ829:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IБ
|
IЭБО
|
IКЭR
|
f гp.
|
СК
|
СЭ
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
А
|
мА
|
мА
|
МГц
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
КТ829А
|
n-p-n
|
8
|
12
|
100
|
-
|
5
|
60
|
>750
|
<2
|
0,2
|
<2
|
<1,5
|
>4
|
<120
|
-
|
150
|
-40…+85
|
|
КТ829Б
|
n-p-n
|
8
|
12
|
80
|
-
|
5
|
60
|
>750
|
<2
|
0,2
|
<2
|
<1,5
|
>4
|
<120
|
-
|
150
|
-40…+85
|
|
КТ829В
|
n-p-n
|
8
|
12
|
60
|
-
|
5
|
60
|
>750
|
<2
|
0,2
|
<2
|
<1,5
|
>4
|
<120
|
-
|
150
|
-40…+85
|
|
КТ829Г
|
n-p-n
|
8
|
12
|
45
|
-
|
5
|
60
|
>750
|
<2
|
0,2
|
<2
|
<1,5
|
>4
|
<120
|
-
|
150
|
-40…+85
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов КТ829:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IБ - постоянный ток базы.
• IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
