+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

КТ972А, КТ972Б, КТ972В, КТ972Г биполярные транзисторы Дарлингтона, структуры n-p-n, технические характеристики, параметры, цоколевка, аналоги, схема, даташит




КТ972А, КТ972Б, КТ972В, КТ972Г биполярные транзисторы Дарлингтона, структуры n-p-n, технические характеристики, параметры, цоколевка, аналоги, схема, даташит


КТ972А, КТ972Б, КТ972В, КТ972Г кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные структуры n-p-n транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики, в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Корпусное исполнение:
• КТ972 А, Б, В, Г - пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126);
• КТ972 А9, Б9, В9, Г9 - пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK).
Технические условия: аАО.336.452 ТУ.
Зарубежные аналоги: BD875.
Производитель: ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь.



КТ972 транзисторы биполярные, структуры n-p-n


Рис.1 Установочные и габаритные размеры транзисторов КТ972.


Технические характеристики транзисторов КТ972:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ
 max
UЭБ
 max
РК
 max
h21Э UКЭ
нас
UБЭ
нас
IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт В В мА мА МГц пФ пФ °С °С
КТ972А n-p-n 2 4 60 60 5 8 >750 <1,5 <2,5 - <1 >200 - - 150 -45…+85
КТ972Б n-p-n 2 4 45 45 5 8 >750 <1,5 <2,5 - <1 >200 - - 150 -45…+85
КТ972В n-p-n 2 4 60 60 5 8 >750 <1,5 <2,5 - <1 >200 - - 150 -45…+85
КТ972Г n-p-n 2 4 60 60 5 8 >750 <0,95 <1,7 - <0,3 >200 - - 150 -45…+85
КТ972А9 n-p-n 2 4 60 60 5 8 >750 <1,5 <2,5 - <1 >200 - - 150 -45…+85
КТ972Б9 n-p-n 2 4 45 45 5 8 >750 <1,5 <2,5 - <1 >200 - - 150 -45…+85
КТ972В9 n-p-n 2 4 60 60 5 8 >750 <1,5 <2,5 - <1 >200 - - 150 -45…+85
КТ972Г9 n-p-n 2 4 60 60 5 8 >750 <0,95 <1,7 - <0,3 >200 - - 150 -45…+85


Условные обозначения электрических параметров транзисторов КТ972:

IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКБ max - максимальное напряжение коллектор-база.
UЭБ max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
UБЭ нас - напряжение насыщения между базой и эмиттером транзистора.
IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
СК - емкость коллекторного перехода.
СЭ - емкость коллекторного перехода.
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.