1Т320А
Артикул:
1Т320А
Номенклатурный номер: 61088
1Т320А
Купить:
78.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о 1Т320А
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
1Т320А
Транзисторы 1Т320А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - ЩП3.365.011ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т320А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 160 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 20 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...100 при 1В; 10мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ при 5В;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 8,5 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс.
Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
1Т320А
1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
20 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.
Транзисторы 1Т320А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - ЩП3.365.011ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т320А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 160 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 20 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...100 при 1В; 10мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ при 5В;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 8,5 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс.
Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
1Т320А
1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
20 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Технические характеристики транзисторов 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В, ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В:
Тип
транзистораСтруктура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С Т IК
maxIК. И.
maxUКЭR max
(UКЭ0 max)UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. И. max)h21Э,
(h21э)UКБ
(UКЭ)IЭ
(IК)UКЭ
нас.IКБО fгp.
(f h21)КШ СК мА мА В В В мВт В мА В мкА МГц дБ пФ °С 1Т320А p-n-p 200 300 14 20 3 200 40…100 1 10 1 5 160 - 8 -60…+70 1Т320Б p-n-p 200 300 12 20 3 200 70…160 1 10 1 5 160 - 8 -60…+70 1Т320В p-n-p 200 300 10 20 3 200 100…250 1 10 1 5 200 - 8 -60…+70 ГТ320А p-n-p 150 300 12 20 3 200 20…80 1 10 2 10 80 - 8 -55…+70 ГТ320Б p-n-p 150 300 11 20 3 200 50…120 1 10 2 10 120 - 8 -55…+70 ГТ320В p-n-p 150 300 9 20 3 200 80...250 1 10 2 10 200 - 8 -55…+70
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКБ - постоянное напряжение коллектор-база транзистора.
• UКЭ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
• IЭ - постоянный ток эмиттера транзистора.
• IК - постоянный ток коллектора транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• Т - максимально допустимая температура окружающей среды. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.