2П308Г-1
Артикул:
2П308Г-1
Номенклатурный номер: 77380
2П308Г-1
Купить:
150.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о 2П308Г-1
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
2П308Г-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы бескорпусные с гибкими выводами и с защитным покрытием без кристаллодержателя.
Каждый транзистор упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без их извлечения.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приёмка «5» - Ц23.365.006ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П308Г-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы бескорпусные с гибкими выводами и с защитным покрытием без кристаллодержателя.
Каждый транзистор упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без их извлечения.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приёмка «5» - Ц23.365.006ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П308Г-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом n-типа
2П308А9, 2П308Б9, 2П308В9, 2П308Г9, 2П308Д9, 2П308Е9, 2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В-1, 2П308Г1, 2П308Д-1:Тип
полевого транзистораР МАКС f МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ОТС g22И IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И КШ мВт МГц В В В мА В мкСм нА мА/В мА пФ пФ дБ °С 2П308А9 80 - 25 30 30 20 0,2…1,2 <10 <1 1…4 0,4…1 <6 <2 - -60…+100 2П308Б9 80 - 25 30 30 20 0,3…1,8 <20 <1 1…4 0,8…1,6 <6 <2 - -60…+100 2П308В9 80 - 25 30 30 20 0,4…2,4 <20 <1 2…5 1,4…3 <6 <2 - -60…+100 2П308Г9 80 - 25 30 30 20 1…6 - <1 - - <6 <2 - -60…+100 2П308Д9 80 - 25 30 30 20 1…3 - <1 - - <6 <2 - -60…+100 2П308Е9 80 - 25 30 30 20 0,2…6 - <1 1 <6 <6 <2 - -60…+100 2П308А-1 60 - 25 30 30 20 0,2…1,2 <10 <1 1…4 0,4…1 <6 <2 - -60…+125 2П308Б-1 60 - 25 30 30 20 0,3…1,8 <20 <1 1…4 0,8…1,6 <6 <2 - -60…+125 2П308В-1 60 - 25 30 30 20 0,4…2,4 <20 <1 2…5 1,4…3 <6 <2 - -60…+125 2П308Г-1 60 - 25 30 30 20 1…6 - <1 - - <6 <2 - -60…+125 2П308Д-1 60 - 25 30 30 20 1…3 - <1 - - <6 <2 - -60…+125
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.