2Т307Г-1
Артикул:
2Т307Г-1
Номенклатурный номер: 73411
2Т307Г-1
Купить:
102.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о 2Т307Г-1
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
2Т307Г-1
Транзисторы 2Т307Г-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные, без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,002 г
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - СБ0.336.026ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 50000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т307Г-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
07 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).
Транзисторы 2Т307Г-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные, без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,002 г
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - СБ0.336.026ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 50000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т307Г-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
07 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Технические характеристики транзисторов 2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2Т307Г-1:
Тип
транзистораСтруктура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
maxТ
maxIК
maxIК. И.
maxUКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.IКБО f гp. КШ СК СЭ мА мА В В В мВт В мкА МГц дБ пФ пФ °С °С 2Т307А-1 n-p-n 20 50 10 10 4 15 >20 0,4 0,5 300 - 5 3 - -60…+85 2Т307Б-1 n-p-n 20 50 10 10 4 15 >20 0,4 0,5 300 - 5 3 - -60…+85 2Т307В-1 n-p-n 20 50 10 10 4 15 >40 0,4 0,5 300 - 5 3 - -60…+85 2Т307Г-1 n-p-n 20 50 10 10 4 15 >80 0,4 0,5 300 - 5 3 - -60…+85
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.