2Т364Б-2
Артикул:
2Т364Б-2
Номенклатурный номер: 71330
2Т364Б-2
Купить:
102.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о 2Т364Б-2
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
2Т364Б-2
Транзисторы 2Т364Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в индивидуальной сопроводительной таре.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,006 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - ЩТ3.365.060ТУ.
Зарубежный аналог: 2N3545.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 80000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т364Б-2:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс.
Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т364Б-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
64 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).
Транзисторы 2Т364Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в индивидуальной сопроводительной таре.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,006 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - ЩТ3.365.060ТУ.
Зарубежный аналог: 2N3545.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 80000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т364Б-2:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс.
Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т364Б-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
64 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Характеристики транзисторов 2Т364А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2, КТ364А-2, КТ364Б-2, КТ364В-2:
Тип
транзистораСтруктура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
maxТ
maxIК
maxIК. И.
maxUКЭR max
(UКЭ0 max)UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ мА мА В В В мВт В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С 2Т364А-2 p-n-p 200 400 20 25 5 30 20…70 0,3 1 1 >250 - 15 30 125 -60…+85 2Т364Б-2 p-n-p 200 400 20 25 5 30 40…120 0,3 1 1 >250 - 15 30 125 -60…+85 2Т364В-2 p-n-p 200 400 20 25 5 30 80…240 0,3 1 1 >250 - 15 30 125 -60…+85 КТ364А-2 p-n-p 200 400 20 25 5 30 20…70 0,3 1 1 >250 - 15 30 125 -40…+85 КТ364Б-2 p-n-p 200 400 20 25 5 30 40…120 0,3 1 1 >250 - 15 30 125 -40…+85 КТ364В-2 p-n-p 200 400 20 25 5 30 80…240 0,3 1 1 >250 - 15 30 125 -40…+85
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.