2Т625АМ-2
Артикул:
2Т625АМ-2
Номенклатурный номер: 50331
2Т625АМ-2
Купить:
90.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о 2Т625АМ-2
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
2Т625АМ-2
Транзисторы 2Т625АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,04 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - Я53.365.022-03ТУ.
Зарубежный аналог: BSS40.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 50000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т625АМ-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 9 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 60 пс.
Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т625АМ-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).
Транзисторы 2Т625АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,04 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - Я53.365.022-03ТУ.
Зарубежный аналог: BSS40.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 50000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т625АМ-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 9 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 60 пс.
Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т625АМ-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Технические характеристики транзисторов 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2, 2Т625АМ-2Н, 2Т625БМ-2Н:
Тип
транзистораСтруктура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
maxТ
maxIК
maxIК. И.
maxUКЭR max
(UКЭ0 max)UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. Т. max)h21Э UКЭ
нас.IКБО IЭБО IКЭ f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С 2Т625АМ-2 n-p-n 1 1,3 40 60 5 1 30…120 <1,2 <30 <100 <60 >200 <9 <90 135 -60…+125 2Т625БМ-2 n-p-n 1 1,3 40 60 5 1 20…120 <0,7 <30 <100 <60 >200 <9 <90 135 -60…+125 2Т625АМ-2Н n-p-n 1 1,3 40 60 5 1 30…120 <1,2 <30 <100 <60 >200 <9 <90 135 -60…+125 2Т625БМ-2Н n-p-n 1 1,3 40 60 5 1 20…120 <0,7 <30 <100 <60 >200 <9 <90 135 -60…+125
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.