2Т963Б-2
Артикул:
2Т963Б-2
Номенклатурный номер: 70831
2Т963Б-2
Купить:
768.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о 2Т963Б-2
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
2Т963Б-2
Транзисторы 2Т963Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 2...10 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.
Транзисторы 2Т963А-2, 2Т963Б-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на кристаллодержателе.
Транзисторы 2Т963А-5 выпускаются в виде кристалла с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - аА0.339.175ТУ.
Зарубежный аналог: NE243287, NE56854, NE56855, NE243187, LJE42002T, DC5651, DC5631.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 40000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т963Б-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
63 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).
Транзисторы 2Т963Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 2...10 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.
Транзисторы 2Т963А-2, 2Т963Б-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на кристаллодержателе.
Транзисторы 2Т963А-5 выпускаются в виде кристалла с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - аА0.339.175ТУ.
Зарубежный аналог: NE243287, NE56854, NE56855, NE243187, LJE42002T, DC5651, DC5631.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 40000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т963Б-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
63 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Технические характеристики транзисторов 2Т963А-2, 2Т963Б-2, 2Т963А-5:
Тип
транзистораСтруктура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
maxТ
maxIК
maxIК. И.
maxUКЭR max
(UКЭ0 max)UКБ0 max UЭБ0 max UПИТ max РК. СР. max
(РК. Т. max)h21Э UКЭ
нас.IКБО IЭБО f гp. PВЫХ КУР мА мА В В В В Вт В мА мА ГГц Вт дБ °С °С 2Т963А-2 n-p-n 210 - - 18 1,5 <15 2,1 (1,1) - - <1 <1 >2 >0,8 >3 180 -60…+125 2Т963Б-2 n-p-n 185 - - 18 1,5 <15 2,1 (1,1) - - <1 <1 >2 >0,5 >3 180 -60…+125 2Т963А-5 n-p-n 210 - - 18 1,5 <15 2,1 (1,1) - - <1 <1 >2 >0,8 >3 180 -60…+125
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.