3П325А-2
Артикул:
3П325А-2
Номенклатурный номер: 57563
3П325А-2
Купить:
252.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о 3П325А-2
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
3П325А-2
Транзисторы 3П325А-2 полевые арсенидгаллиевые с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 3П325А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой.
На крышке наносится условная маркировка:
- 3П325А-2 - черная полоска,
- АП325А-2 - черная полоска с черной точкой над ней.
Транзистор 3П325А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается а этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,05 г, кристалла не более 0,0002 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приёмка «5» - аА0.339.355ТУ.
Зарубежный аналог: GAT-5, CFY18, DXL2502A-P70.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 3П325А-2:
• Структура транзистора: с барьером Шотки, с n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 25 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 4 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток (постоянное): 2,5 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное): 3,5 В;
• S - Крутизна характеристики: более 8 мА/В;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 5 дБ на частоте 8 ГГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 8 ГГц.
Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П325А-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
25 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).
Транзисторы 3П325А-2 полевые арсенидгаллиевые с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 3П325А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой.
На крышке наносится условная маркировка:
- 3П325А-2 - черная полоска,
- АП325А-2 - черная полоска с черной точкой над ней.
Транзистор 3П325А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается а этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,05 г, кристалла не более 0,0002 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приёмка «5» - аА0.339.355ТУ.
Зарубежный аналог: GAT-5, CFY18, DXL2502A-P70.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 3П325А-2:
• Структура транзистора: с барьером Шотки, с n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 25 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 4 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток (постоянное): 2,5 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное): 3,5 В;
• S - Крутизна характеристики: более 8 мА/В;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 5 дБ на частоте 8 ГГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 8 ГГц.
Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П325А-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
25 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Характеристики арсенидгаллиевых полевых транзисторов с каналом n-типа и барьером Шотки
3П325А-2, 3П325А-5, АП325А-2:Тип
полевого транзистораР МАКС f МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ОТС RCИ отк IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И C22И КШ КУР мВт ГГц В В В мА В Ом мкА мА/В мА пФ пФ пФ дБ дБ °С 3П325А-2 25 8 2,5 5 3,5 - <4 - <1 >8 - - - - <2 >5 -60…+85 3П325А-5 25 8 2,5 5 3,5 - <4 - <1 >8 - - - - <2 >5 -60…+85 АП325А-2 25 8 2,0 6 4,5 - <4 - <1 >5 - - - - <2 >4,5 -60…+70
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• C22И - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.