3П604Б1-2
Артикул:
3П604Б1-2
Номенклатурный номер: 73449
3П604Б1-2
Купить:
2 640.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о 3П604Б1-2
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
3П604Б1-2
Транзисторы 3П604Б1-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шоттки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
- 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
- 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
- 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
- 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приёмка «5» - аА0.339.476ТУ.
Зарубежный аналог: FLK012WF, FLK022XP, FLK022XV, DXL3605-P100F, MA4F005-500.
Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П604Б1-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).
Транзисторы 3П604Б1-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шоттки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
- 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
- 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
- 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
- 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приёмка «5» - аА0.339.476ТУ.
Зарубежный аналог: FLK012WF, FLK022XP, FLK022XV, DXL3605-P100F, MA4F005-500.
Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П604Б1-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Характеристики арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки и каналом n-типа
3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2, 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5:Тип
полевого транзистораР МАКС f МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ОТС RCИ отк IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И PВЫХ КШ КУР мВт ГГц В В В мА В Ом мкА мА/В мА пФ пФ мВт дБ дБ °С 3П604А-2 900 18 7 - -3 - - - <20 20…40 - - - >200 - >3 -60…+100 3П604Б-2 900 18 7 - -3 - - - <20 15…40 - - - >125 - >2,6 -60…+100 3П604В-2 900 18 7 - -3 - - - <20 10…20 - - - >75 - >3 -60…+100 3П604Г-2 900 18 7 - -3 - - - <20 10…20 - - - >50 - >3 -60…+100 3П604А1-2 900 18 7 - -3 - - - <20 20…40 - - - >200 - >2,6 -60…+100 3П604Б1-2 900 18 7 - -3 - - - <20 15…40 - - - >125 - >2,6 -60…+100 3П604В1-2 900 18 7 - -3 - - - <20 10…20 - - - >75 - >3 -60…+100 3П604Г1-2 900 18 7 - -3 - - - <20 10…20 - - - >50 - >3 -60…+100 3П604А-5 900 18 7 - -3 - - - <20 20…40 - - - >200 - >3 -60…+100 3П604Б-5 900 18 7 - -3 - - - <20 15…40 - - - >125 - >2,6 -60…+100 3П604В-5 900 18 7 - -3 - - - <20 10…20 - - - >75 - >3 -60…+100 3П604Г-5 900 18 7 - -3 - - - <20 10…20 - - - >50 - >3 -60…+100
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• PВЫХ - выходная мощность полевого транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.