КТ209М
Транзисторы КТ209М кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - на корпус наносится буква: КТ209А - А, КТ209Б - Б, КТ209Б1 - Б1, КТ209В - В, КТ209В1 - В1, КТ209В2 - В2, КТ209Г - Г, КТ209Д - Д, КТ209Е - Е КТ209Ж - Ж, КТ209И - И, КТ209К - К, КТ209Л - Л, КТ209М - М.
Вариант 2 - на боковую поверхность корпуса наносится метка серого цвета и на торце метка: КТ209А - темно-красная, КТ209Б - желтая, КТ209В - темно-зеленая, КТ209Г - голубая, КТ209Д - синяя, КТ209Е - белая, КТ209Ж - коричневая, КТ209И - серебристая, КТ209К - оранжевая, КТ209Л - светло-табачная, КТ209М - серая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» аА0.336.065ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: MPS404A, BCY11.
Технические характеристики транзисторов КТ209:
|
Тип транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
|
IК. макс.
|
IК. и. макс.
|
UКБО макс.
|
UКЭR макс.
|
UЭБО макс.
|
РК. макс.
|
h21Э
|
UКБ
|
IЭ
|
UКЭ нас.
|
IКБО
|
fгp.
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мА
|
В
|
мкА
|
МГц
|
|
КТ209А
|
p-n-p
|
300
|
500
|
15
|
15
|
10
|
200
|
20...60
|
1
|
30
|
0,4
|
-
|
5
|
|
КТ209Б
|
p-n-p
|
300
|
500
|
15
|
15
|
10
|
200
|
40…120
|
1
|
30
|
0,4
|
-
|
5
|
|
КТ209В
|
p-n-p
|
300
|
500
|
15
|
15
|
10
|
200
|
80...240
|
1
|
30
|
0,4
|
-
|
5
|
|
КТ209Г
|
p-n-p
|
300
|
500
|
30
|
30
|
10
|
200
|
20...60
|
1
|
30
|
0,4
|
-
|
5
|
|
КТ209Д
|
p-n-p
|
300
|
500
|
30
|
30
|
10
|
200
|
40…120
|
1
|
30
|
0,4
|
-
|
5
|
|
КТ209Е
|
p-n-p
|
300
|
500
|
30
|
30
|
10
|
200
|
80...240
|
1
|
30
|
0,4
|
-
|
5
|
|
КТ209Ж
|
p-n-p
|
300
|
500
|
45
|
45
|
20
|
200
|
20...60
|
1
|
30
|
0,4
|
-
|
5
|
|
КТ209И
|
p-n-p
|
300
|
500
|
45
|
45
|
20
|
200
|
40…120
|
1
|
30
|
0,4
|
-
|
5
|
|
КТ209К
|
p-n-p
|
300
|
500
|
45
|
45
|
20
|
200
|
80…160
|
1
|
30
|
0,4
|
-
|
5
|
|
КТ209Л
|
p-n-p
|
300
|
500
|
60
|
60
|
20
|
200
|
20...60
|
1
|
30
|
0,4
|
-
|
5
|
|
КТ209М
|
p-n-p
|
300
|
500
|
60
|
60
|
20
|
200
|
40…120
|
1
|
30
|
0,4
|
-
|
5
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
•
UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
•
Uкэомакс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
•
Uэбомакс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
•
Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.
•
Uкэ - напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
•
Iэ - ток эмиттера транзистора.
•
Iк - постоянный ток коллектора транзистора.
•
Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IкэR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер. Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
•
fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
