КП504А
Артикул:
КП504А
Номенклатурный номер: 57398
КП504А
Купить:
42.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о КП504А
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
КП504А
Кppемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.
КП504А пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах с непpеpывным импульсным упpавлением, блоках питания эвм, cхемах упpавления электpодвигателей и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (TO-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приёмка «1» - АДБК.432140.690ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Прототип: BSS88.
Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП504А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.
Кppемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.
КП504А пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах с непpеpывным импульсным упpавлением, блоках питания эвм, cхемах упpавления электpодвигателей и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (TO-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приёмка «1» - АДБК.432140.690ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Прототип: BSS88.
Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП504А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Характеристики полевых МОП транзисторов с изолированным затвором и каналом n-типа
КП504А, КП504Б, КП504В, КП504Г, КП504Д, КП504Е:Тип
полевого транзистораР МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ПОР RСИ отк IЗ УТ S IС ОСТ C11И C12И C22И tвкл tвыкл Вт В В В мА В Ом нА А/В мкА пФ пФ пФ нс нс °С КП504А 1,0 240 - ±10 250 0,6…1,2 <15 <100 >0,14 <1 <140 <9 <30 23 95 -60…+125 КП504Б 1,0 240 - ±10 250 0,6…1,2 <15 <100 >0,14 <1 <140 <9 <30 23 95 -60…+125 КП504В 0,7 200 - ±10 200 0,6…1,2 <15 <100 >0,14 <1 <140 <9 <30 23 95 -60…+125 КП504Г 0,7 250 - ±10 180 0,6…1,2 <18 <100 >0,14 <1 <140 <9 <30 23 95 -60…+125 КП504Д 0,7 240 - ±10 200 0,6…1,2 <15 <100 >0,14 <1 <140 <9 <30 23 95 -60…+125 КП504Е 0,7 240 - ±10 200 0,6…1,2 <15 <100 >0,14 <1 <140 <9 <30 23 95 -60…+125
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора. Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• C22И - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• tвкл - время включения полевого транзистора.
• tвыкл - время выключения полевого транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.