КП9133ДС
Артикул:
КП9133ДС
Номенклатурный номер: 77780
КП9133ДС
Купить:
22 176.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о КП9133ДС
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
КП9133ДС
Транзисторная сборка КП9133ДС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 500 Вт в диапазоне частот от 1200 до 1440 МГц.
Предназначена для работы в составе аппаратуры радиолокационных станций (РЛС) и других систем радиосвязи, навигации и радиолокации.
Транзисторная сборка КП9133ДС изготовлена по LDMOS технологии и применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего и специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-2.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Функциональный зарубежный аналог: BLL6H1214-500 фирмы NXP Semiconductors.
Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9133ДС:
(условия измерения: f1 = 1200 МГц, f2 = 1400 МГц, UСИ = 50 В)
● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 500 Вт;
● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный);
● КПД стока ηС - 43 % (минимальный);
● Длительность импульса τИ = 1 мс;
● Скважность Q = 10.
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9133ДС:
● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1290 Вт;
● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 20,0 А;
● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,12 °C/Вт;
● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г.
Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КП9133ДС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
133 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Д - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.
Транзисторная сборка КП9133ДС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 500 Вт в диапазоне частот от 1200 до 1440 МГц.
Предназначена для работы в составе аппаратуры радиолокационных станций (РЛС) и других систем радиосвязи, навигации и радиолокации.
Транзисторная сборка КП9133ДС изготовлена по LDMOS технологии и применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего и специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-2.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Функциональный зарубежный аналог: BLL6H1214-500 фирмы NXP Semiconductors.
Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9133ДС:
(условия измерения: f1 = 1200 МГц, f2 = 1400 МГц, UСИ = 50 В)
● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 500 Вт;
● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный);
● КПД стока ηС - 43 % (минимальный);
● Длительность импульса τИ = 1 мс;
● Скважность Q = 10.
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9133ДС:
● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1290 Вт;
● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 20,0 А;
● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,12 °C/Вт;
● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г.
Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КП9133ДС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
133 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Д - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Технические характеристики мощных полевых n-канальных СВЧ-транзисторов
КП9133А, КП9133Б, КП9133В, КП9133Г1, КП9133ДС:
Тип
транзистораРежим
работыЗначения параметров при Т=25°С Тип
корпусаP ВЫХ И МАКС K УР МИН K УР МИН η C МИН Q τИ f U ПИТ I С МАКС R Т П-К Вт дБ раз % - мкс МГц В А °С/Вт КП9133А импульсный 25 17 50 43 10 1000 1200-1400 50 1,35 1,8 КТ-55С-1 КП9133Б импульсный 35 16 40 43 10 1000 1200-1400 36 4,5 1,3 КТ-55С-1 КП9133В импульсный 50 16 40 43 10 1000 1200-1400 50 4,5 1,1 КТ-55С-1 КП9133Г1 импульсный 350 16 40 43 10 1000 1200-1400 50 25 0,15 КТ-81В-1 КП9133ДС импульсный 500 16 40 43 10 1000 1200-1400 50 30 0,12 КТ-103А-2
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р ВЫХ И МАКС - максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
• KУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ηС МИН - коэффициент полезного действия стока.
• Q - скважность.
• τИ - длительность импульса.
• f - рабочая частота.
• U ПИТ - номинальное напряжение питания.
• IС МАКС - максимально допустимый постоянный ток стока.
• RТ П-К - тепловое сопротивление переход-корпус.
-
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.