КТ926Б
Артикул:
КТ926Б
Номенклатурный номер: 53165
КТ926Б
Купить:
216.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о КТ926Б
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
КТ926Б
Транзисторы КТ926Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных модуляторах в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вывод эмиттера маркируется точкой.
Тип корпуса: КТ-10.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1», «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.229ТУ.
Импортный аналог: 2N1904, BUY72.
Основные технические характеристики транзистора КТ926Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 50 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 150 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (150В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0.25 Ом.
Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ926Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
26 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.
Транзисторы КТ926Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных модуляторах в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вывод эмиттера маркируется точкой.
Тип корпуса: КТ-10.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1», «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.229ТУ.
Импортный аналог: 2N1904, BUY72.
Основные технические характеристики транзистора КТ926Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 50 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 150 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (150В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0.25 Ом.
Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ926Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
26 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Технические характеристики транзисторов 2Т926А, КТ926А, КТ926Б:
Тип
транзистораСтруктура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
maxТ
maxIК
maxIК. И.
maxUКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max UПИТ max
РК. Т. maxh21Э UКЭ
нас.IКЭR IЭБО f гp. PВЫХ КУР А А В В В В Вт В мА мА МГц Вт дБ °С °С 2Т926А n-p-n 15 25 150 - 5 - 50 12…60 <2,5 <25 <300 >50 - - 150 -60…+125 КТ926А n-p-n 15 25 150 - 5 - 50 10…60 <2,5 <25 <300 >50 - - 150 -45…+100 КТ926Б n-p-n 15 25 150 - 5 - 50 10…60 <2,5 <25 <300 >50 - - 150 -45…+100
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.