МДТ-80-12
Артикул:
МДТ-80-12
Номенклатурный номер: 69002
МДТ-80-12
Купить:
3 900.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о МДТ-80-12
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
МДТ-80-12
Модуль МДТ-80-12 диодно-тиристорный силовой низкочастотный комбинированный состоящий из последовательно соединенного кремниевого диода и p-n-p-n тиристора, включённых по полумостовой схеме.
Предназначен для применения в силовых цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц и силе тока не более 80 А.
Диодно-тиристорный модуль МДТ-80-12 применяется в бесконтактных коммутационных и регулирующих устройствах, в преобразователях, выпрямительных мостах, источниках питания, электросварочном оборудовании, системах управления двигателями и в другом электротехническом оборудовании общего назначения.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе прижимной конструкции и устанавливается с помощью винтов через сквозные крепежные отверстия в корпусе.
Отвод тепла осуществляется через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание.
Маркируется цифро-буквенным кодом, обозначение и полярность выводов указывается на корпусе.
Тип корпуса: MTD1.
Охлаждение воздушное естественное или принудительное.
Тип рекомендуемого охладителя: О24, О34, О55, О56, О57, О58.
Допускает эксплуатацию при температуре окружающей среды от -60 до +50 °С.
Модуль диодно-тиристорный МДТ-80 выпускается в климатических исполнениях «УХЛ» категории размещения «4» по ГОСТ 15150-69.
Габаритные размеры диодно-тиристорного модуля:
- длина - 92 мм;
- высота - 30 мм;
- ширина - 20 мм.
Масса не более 200 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: ТУ16-2006 ИЕАЛ.435700.019ТУ.
Расшифровка маркировки диодно-тиристорного модуля:
МДТ-80-12
М - модуль;
Д - диод;
Т - тиристор;
80 - число, равное значению максимально допустимого среднего тока в открытом состоянии амперах;
12 - число, обозначающее класс по повторяющемуся импульсному обратному напряжению в сотнях вольт.
Модуль МДТ-80-12 диодно-тиристорный силовой низкочастотный комбинированный состоящий из последовательно соединенного кремниевого диода и p-n-p-n тиристора, включённых по полумостовой схеме.
Предназначен для применения в силовых цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц и силе тока не более 80 А.
Диодно-тиристорный модуль МДТ-80-12 применяется в бесконтактных коммутационных и регулирующих устройствах, в преобразователях, выпрямительных мостах, источниках питания, электросварочном оборудовании, системах управления двигателями и в другом электротехническом оборудовании общего назначения.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе прижимной конструкции и устанавливается с помощью винтов через сквозные крепежные отверстия в корпусе.
Отвод тепла осуществляется через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание.
Маркируется цифро-буквенным кодом, обозначение и полярность выводов указывается на корпусе.
Тип корпуса: MTD1.
Охлаждение воздушное естественное или принудительное.
Тип рекомендуемого охладителя: О24, О34, О55, О56, О57, О58.
Допускает эксплуатацию при температуре окружающей среды от -60 до +50 °С.
Модуль диодно-тиристорный МДТ-80 выпускается в климатических исполнениях «УХЛ» категории размещения «4» по ГОСТ 15150-69.
Габаритные размеры диодно-тиристорного модуля:
- длина - 92 мм;
- высота - 30 мм;
- ширина - 20 мм.
Масса не более 200 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: ТУ16-2006 ИЕАЛ.435700.019ТУ.
Расшифровка маркировки диодно-тиристорного модуля:
МДТ-80-12
М - модуль;
Д - диод;
Т - тиристор;
80 - число, равное значению максимально допустимого среднего тока в открытом состоянии амперах;
12 - число, обозначающее класс по повторяющемуся импульсному обратному напряжению в сотнях вольт.
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Технические характеристики модулей диодно-тиристорных низкочастотных МДТ80:
Наименование
диодно-тиристорного
модуляМаксимально допустимые значения параметров при Тп=125°С Значения параметров при Тп=25°С Tj IT(AV) UDRM/URRM IDRM/IRRM ITSM rT (duD/dt)crit (diT/dt)crit UTM UT(TO) i2t IH IGT UGT tgd tq Rthjc А В мА кА МОм В/мкс А/мкс В В кA2с мА мА В мкс мкс °С/Вт °С МДТ-80-4 80 400 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-5 80 500 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-6 80 600 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-7 80 700 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-8 80 800 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-9 80 900 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-10 80 1000 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-11 80 1100 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-12 80 1200 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-13 80 1300 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-14 80 1400 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-15 80 1500 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125 МДТ-80-16 80 1600 15 1,6 2,0 500…1000 200 <1,5 <0,9 <12,8 <200 <150 <3,5 <1,0 80 <0,37 -60…+125
Условные обозначения электрических параметров модулей диодно-тиристорных:
• IT - Постоянный ток в открытом состоянии.
• ITAV - Средний ток в открытом состоянии.
• UDRM - Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.
• URRM - Повторяющееся импульсное обратное напряжение.
• IDRM - Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии.
• IRRM - Повторяющийся импульсный обратный ток.
• ITSM - Ударный ток в открытом состоянии.
• rT - Динамическое сопротивление.
• (duD/dt)crit - Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии.
• (diT/dt)crit - Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии.
• UTM - Импульсное напряжение в открытом состоянии.
• UT(TO) - Пороговое напряжение.
• i2t - Защитный показатель.
• IH - Ток удержания.
• IGT - Отпирающий постоянный ток управления.
• UGT - Отпирающее постоянное напряжение управления.
• tq - Время выключения.
• tgt - Время включения.
• tgd - Время задержки включения.
• Rthjc - Тепловое сопротивление переход-корпус.
• Tj - Температура перехода. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.