МП15А
Артикул:
МП15А
Номенклатурный номер: 60861
МП15А
Купить:
36.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о МП15А
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
МП15А
Транзисторы МП15А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные.
Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия: СБ0.336.007ТУ1.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Основные технические характеристики транзистора МП15А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ.
Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
МП15А
М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);
П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
15 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.
Транзисторы МП15А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные.
Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия: СБ0.336.007ТУ1.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Основные технические характеристики транзистора МП15А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ.
Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
МП15А
М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);
П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
15 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Технические характеристики транзисторов МП15, МП15А, МП15И:
Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С IК. макс. IК. и. макс. UКЭR гр.
(UКЭО макс.)UЭБО макс. РК. макс.
(РК.и. макс)h21Э
(h21э)UКБ
(UКЭ)IЭ
(IК)UКЭ нас. IКБО fгp.
(fh21)мА мА В В мВт В мА В мкА МГц МП15 p-n-p 20 150 15 15 150 30...60 5 1 - 200 2 МП15А p-n-p 20 150 15 15 150 50...100 5 1 - 200 2 МП15И p-n-p 20 150 15 15 150 20...80 5 1 1 200 2
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Uкэо. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
• Uэбо. макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.
• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Iэ - ток эмиттера транзистора.
• Iк - постоянный ток коллектора транзистора.
• Uкэ. нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.