Транзисторы биполярные
Цена с НДС 2Т368Б Транзисторы 2Т368Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,6 г. Тип корпуса: КТ-1-12. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» СБ0.336.051ТУ; - приемка «ОСМ» СБ0.336.051ТУ, П0.070.052, - приемка «ОС» СБ0.336.051ТУ, аА0.339.190ТУ. Зарубежный аналог: 2SC251, 2SC252, 2SC253. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т368Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 900 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...300; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т368Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 68 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
582.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ914А Транзисторы КТ914А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 400 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.140ТУ. Импортный аналог: 2N5161, BC287, IMBT3905, BC321B. Основные технические характеристики транзистора КТ914А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 2 мА (65В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 12 Ом; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 2,5 Вт на частоте 400 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ914А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 14 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
792.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ925Б Транзисторы КТ925Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Используются для работы в бортовой аппаратуре подвижных средств радиосвязи общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.074ТУ. Импортный аналог: C12-12, TH550. Основные технические характеристики транзистора КТ925Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 12 мА (36В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 5 Вт на частоте 320 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 35 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ925Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
834.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т301Д Транзисторы 2Т301Д кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТЮ-3-1. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» ЩБ3.365.007ТУ; - приемка «ОС» ЩБ3.365.007ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Зарубежный аналог: 2N1390, BC120, SE8001. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т301Д: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 30 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20... 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 300 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т301Д 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
462.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1Т403Б Транзисторы 1Т403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,0 г. Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «5» СИ3.365.023ТУ; - приемка «9» СИ3.365.023ТУ/Д6. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления. Основные технические характеристики транзистора 1Т403Б: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт; • fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 45 В; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...150 при 5В, 0,1 А; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 1Т403Б 1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 4 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 4 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
78.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3102В Транзисторы КТ3102В кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,4 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.122ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BC108AP, 2SC1815, 2N4432A. Основные технические характеристики транзистора КТ3102В: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,015 мкА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200...500; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3102В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 102 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
264.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ315Е Транзисторы КТ315Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,18 г. Тип корпуса: КТ-13. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» ЖК3.365.200ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 10 лет. Импортный аналог: BSX24. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ315Е К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 15 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
12.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ683Б Транзисторы КТ683Б кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.802ТУ. Импортный аналог: 2SC2481, 2SC16240, 2SC16250, 2SC1624, 2SC1625. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ683Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 83 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП21А Транзисторы МП21А германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.336.484ТУ; - приемка «ПЗ» ЩМ3.365.039ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП21А М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 21 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
66.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3107Д Транзисторы КТ3107Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзисторы имеют два варианта маркировки: Вариант 1 - буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Вариант 2 - на корпусе наносится условная маркировка - две цветные точки: - КТ3107А - голубая и розовая; - КТ3107Б - голубая и жёлтая; - КТ3107В - голубая и синяя; - КТ3107Г - голубая и бежевая; - КТ3107Д - голубая и оранжевая; - КТ3107Е - голубая и цвета электрик; - КТ3107Ж - голубая и салатовая; - КТ3107И - голубая и зелёная; - КТ3107К - голубая и красная; - КТ3107Л - голубая и серая. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.170ТУ/04. Гарантийный срок сохраняемости - 12 лет. Импортный аналог: 2SA1029C, 2SA1033C, 2SA564, BC308B, BC320B, BC455B, BC558, BC558B,MPS3702, PC109. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3107Д К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 107 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ502Г Транзисторы КТ502Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным, графическим или цветовым кодом на корпусе транзистора. На боковой поверхности корпуса наносится условная маркировка - точка жёлтого цвета, а на торце корпуса цветовая метка: - для КТ502А - тёмно-красная; - для КТ502Б - жёлтая; - для КТ502В - тёмно-зелёная; - для КТ502Г - голубая; - для КТ502Д - синяя; - для КТ502Е - белая. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.182ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: KSA539O, KSA539Y, 2SA545, KSA545Y. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ502Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ851А Транзисторы КТ851А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.511 ТУ. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2SB546A, 2SB630A, 2SA958. Основные технические характеристики транзистора КТ851А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 250 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (250В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 200; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 40 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 1400 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ851А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 51 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
96.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ209Б Транзисторы КТ209Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзисторы имеют два варианта маркировки: Вариант 1 - на корпус наносится буква: КТ209А - А, КТ209Б - Б, КТ209Б1 - Б1, КТ209В - В, КТ209В1 - В1, КТ209В2 - В2, КТ209Г - Г, КТ209Д - Д, КТ209Е - Е КТ209Ж - Ж, КТ209И - И, КТ209К - К, КТ209Л - Л, КТ209М - М. Вариант 2 - на боковую поверхность корпуса наносится метка серого цвета и на торце метка: КТ209А - темно-красная, КТ209Б - желтая, КТ209В - темно-зеленая, КТ209Г - голубая, КТ209Д - синяя, КТ209Е - белая, КТ209Ж - коричневая, КТ209И - серебристая, КТ209К - оранжевая, КТ209Л - светло-табачная, КТ209М - серая. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.065ТУ/02. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: MPS404, 2S3040. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ209Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ203АМ Транзисторы КТ203АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзисторы маркируются цветным кодом. Боковая поверхность корпуса у всех транзисторов окрашивается темно-красным. Цвет маркировочной метки на торце корпуса: - для КТ203АМ - тёмно-красный, - для КТ203БМ - жёлтый, - для КТ203ВМ - тёмно-зелёный. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» ЩЫ3.336.001ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N3565, 2N3565, 2N3565, MPS2711. Основные технические характеристики транзистора КТ203АМ: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 9. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ203АМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
24.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ6116А Транзистор КТ6116А кремниевый биполярный p-n-p, усилительный. Предназначен для работы в НЧ-устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания, для электронных систем телефонной связи. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» АДБК.432140.424ТУ. Импортный аналог: 2N5401. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ6116А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 116 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т607А-4 Транзисторы 2Т607А-4 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные с защитным покрытием. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,4 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - Я53.365.008ТУ. Зарубежный аналог: PEE1000U, PEE1001T, PDE1001. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т607А-4: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 700 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 150 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (30В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1 Вт на частоте 1 ГГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 18 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т607А-4 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 4 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 4 - транзистор с жёсткими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
1 272.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т643А-2 Транзисторы 2Т643А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 2...8 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643Б-2, бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами. Транзистор 2Т643А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Размер кристалла 0,4х0,4x0,06 мм. Транзисторы маркируются условным кодом: -2Т643А-2 - одной зеленой точкой, -2Т643Б-2 - одной желтой точкой. Тип прибора указывается на этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г. Тип корпуса: КТ-22. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.138ТУ. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т643А-2: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,1 Вт; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 120 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (25В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,48 Вт на частоте 8 ГГц. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т643А-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 43 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
2 772.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т355А Транзисторы 2Т355А кремниевые планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления и генерирования электрических сигналов в широком диапазоне частот. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,2 г. Тип корпуса: КТ-2-15 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - СБ3.365.101ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: 2SC568. Основные технические характеристики транзистора 2Т355А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 1500 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...300; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 5,5 дБ на частоте 60 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 60 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т355А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 55 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
414.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ911Б Транзисторы СВЧ КТ911Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 300 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-18. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - ЩБ3.365.061ТУ. Импортный аналог: 2N4429, PEE1001T, PDE1001T, 2SC3607. Основные технические характеристики транзистора КТ911Б: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 3 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 600 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,4 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (55В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2,5 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1 Вт на частоте 1 ГГц; • tрас - Время рассасывания: не более 25 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ911Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 11 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 584.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ837И Транзисторы КТ837И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.403ТУ/03. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N6132. Основные технические характеристики транзистора КТ837И: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ837И К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
72.00 руб.
-
+
|