Транзисторы биполярные - страница 26
Цена с НДС П701Б Транзисторы П701Б кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 12,0 г, с крепежным фланцем - не более 16,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «1» ЩЫ0.005.007ТУ; - приемка «5» ЩБ3.365.063ТУ; - приемка «9» ЩБ3.365.0063ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: П701Б П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 701 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 701 до 799 - кремниевые мощные транзисторы высокой и сверхвысокой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ984Б Транзисторы КТ984Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в импульсных усилителях мощности класса С в схеме с общей базой в диапазоне частот 720...820 МГц при напряжении питания 50 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Транзисторы содержат внутренние согласующие LC-звенья. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-42. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.339.374ТУ. Импортный аналог: MSC1250M, D1-7E, D1-12E, D1-12B, MRF5174. Основные технические характеристики транзистора КТ984Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4,7 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 720 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 16 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 80 мА (65В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 250 Вт на частоте 820 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ984Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 84 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
462.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1Т329А Транзисторы 1Т329А германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: ЩТ3.365.057ТУ. Основные технические характеристики транзистора 1Т329А: • Структура: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1200 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 10 В; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15...300 при 5В, 5мА; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ при 5В; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 400 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 1Т329А 1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
114.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ361К Транзисторы КТ361К кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-13. Климатическое исполнение: УХЛ. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» ФЫ0.336.201ТУ. Импортный аналог: BCW62A. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ361К К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 61 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
12.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ501К Транзисторы КТ501К кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,6 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.064ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BCY54, TCH98B, 2SA539. Основные технические характеристики транзистора КТ501К: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (10кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 80... 240; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ501К К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
120.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3128А Транзисторы КТ3128А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов с автоматической регулировкой усиления. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Транзистор КТ3128А выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор КТ3128А9 выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,4 г, в пластмассовом корпусе не более 0,1 г. Тип корпуса: КТ-1-12 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.430ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BF272, BF362, PN5910. Основные технические характеристики транзистора КТ3128А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 15... 150. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3128А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 128 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ961В Транзисторы КТ961В кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.358 ТУ/04. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BD371B16. Основные технические характеристики транзистора КТ961В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 12,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 100...250; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ961В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 61 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т504Б Транзисторы 2Т504Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,0 г. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.110ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.110ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2SD158, 2N6721. Гарантийный срок хранения транзисторов - 15 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т504Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т504Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
504.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т384АМ-2 Транзисторы 2Т384АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в системах памяти ЭВМ и импульсных переключающих устройствах наносекундного диапазона в составе герметизированных микросхем. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием на керамическом 2Т384А-2, и металлическом 2Т384АМ-2 кристаллодержателях. Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей проводить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов. Тип прибора указывается на сопроводительной таре. Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе не более 0,015 г, на металлическом - не более 0,004 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - Я53.365.022-01ТУ. Зарубежный аналог: PE3100, PE5029, MPS3866. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т384АМ-2: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 450 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (5кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 180; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т384АМ-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 84 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров; 2 - цифра, написанная дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т934В Транзисторы СВЧ 2Т934В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в аппаратуре стационарных и подвижных средств радиосвязи специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.004ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.004ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N5637, 2SC2033. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т934В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 32 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 25 Вт на частоте 400 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т934В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 34 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 452.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ918Б-2 Транзисторы КТ918Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 1...3 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 20 В в герметизированной аппаратуре. Выпускаются в керамическом корпусе с частичной герметизацией и ленточными выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,15 г. ТКатегория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.006ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: LKE32002T, MSC88553, MSC85855. Основные технические характеристики транзистора КТ918Б-2: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 2,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1000 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,25 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (55В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,2 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,5 Вт на частоте 3 ГГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ918Б-2 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 18 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
294.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1Т329В Транзисторы 1Т329В германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: ЩТ3.365.057ТУ. Основные технические характеристики транзистора 1Т329В: • Структура: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 990 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 10 В; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15...300 при 5В, 5мА; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ при 5В; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 1Т329В 1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3165А Транзистор КТ3165А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими ленточными выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-29 (SOT-37). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.819ТУ. Импортный аналог: BF450, BF451, BF727, BP970. Основные технические характеристики транзистора КТ3165А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 160 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 750 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 25; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ на частоте 1 ГГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3165А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 165 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ661А Транзистор КТ661А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p импульсный. Предназначен для применения в быстродействующих ключевых устройствах электронных автоматических телефонных станций. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.671ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: TP2905A. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ661А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 61 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т908А-2 Транзисторы 2Т908А-2 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами. Предназначены для работы в ключевых схемах аппаратуры специального назначения. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.480ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 10000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 15000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т908А-2: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 50 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (100В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 8... 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 700 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,15 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 2600 нс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т908А-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
1 164.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ6114А Транзистор КТ6114А кремниевый биполярный n-р-n, для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ. Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» АДБК.432140.422ТУ. Импортный аналог: SS8050B. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ6114А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 114 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т372А Транзисторы 2Т372А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Тип прибора указывается на ярлыке, являющемся составной частью упаковки. На корпусе между базовым и эмиттерным выводами наносится условная маркировка цветными точками: - 2Т372А - одна зеленая; - 2Т372Б - одна черная; - 2Т372В - одна белая; Масса транзистора не более 0,2 г. Тип корпуса: КТЮ-23-2. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - ЖК3.365.246ТУ. Зарубежный аналог: MA42057-510, MRF931. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т372А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2400 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (10кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10,,,90; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3,5 дБ на частоте 1 ГГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 9 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т372А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 72 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ501Б Транзисторы КТ501Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,6 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.064ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: SF125, 2S3040. Основные технические характеристики транзистора КТ501Б: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (10кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ501Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т867А Транзистор 2Т867А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n высоковольтный, переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 17,0 г. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.439ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.439ТУ, П0.070.052; - приемка «ОС» аА0.339.439ТУ, аА0.339.190ТУ. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т867А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 25 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (250В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,075 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т867А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 67 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
2 244.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т354Б-2 Транзисторы 2Т354Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,003 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - СБ0.336.038ТУ. Зарубежный аналог: 2SC3016, LBFW30. Гарантийный срок хранения 15 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т354Б-2: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 30 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1500 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 90...360; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 35 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т354Б-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 54 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
132.00 руб.
-
+
|