Транзисторы биполярные - страница 29
Цена с НДС 2Т321Б Транзисторы 2Т321Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. Используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,2 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «5» аА0.339.248ТУ; - приемка «9» аА0.339.248ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ. Зарубежный аналог: 2SA561. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т321Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 210 мВт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т321Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 21 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т951В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Транзистор 2Т951А, 2Т951В предназначен для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 30...80 МГц при напряжении питания 28 В, транзистор 2Т951Б в диапазоне частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В в герметизированной аппаратуре. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Транзистор 2Т951Б используется без фланца корпуса. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзисторов 2Т951А и 2Т951В не более 3,5 г, 2Т951Б без фланца не более 2,0 г. Тип корпуса: КТ-17. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.081ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.081ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: BC301. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т951В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 51 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
4 752.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т3117А/ПК Транзисторы 2Т3117А/ПК кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах специального назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,4 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» АЕЯР.432140.247ТУ; - приемка «ОСМ» АЕЯР.432140.247ТУ, П0.070.052. Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Зарубежный аналог: SE8012. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т3117А/ПК 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 117 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; ПК - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
858.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ382АМ Транзисторы КТ382АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими полосковыми выводами. На крышке корпуса наносится условная маркировка цветным кодом: - КТ382АМ - одна полоса; - КТ382БМ - одна полоса и одна точка. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-14. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.134ТУ. Импортный аналог: K2122CB, 2N5032. Основные технические характеристики транзистора КТ382АМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 330; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 400 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ382АМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 82 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ852В Транзисторы КТ852В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры общего назначения. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.507ТУ. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: TIP115, 2SB937. Основные технические характеристики транзистора КТ852В: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 1000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 28 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом; • tвыкл - Время выключения: не более 2000 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ852В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 52 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ605АМ Транзисторы КТ605АМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Предназначены для применения в усилителях, импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.302ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ605АМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,4 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 40 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 300 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 40; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 7 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 400 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 250 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ605АМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 05 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т505Б Транзисторы 2Т505Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, 2Т505В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Транзистор 2Т505А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается на этикетке. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,003 г. Технические условия: аА0.339.174 ТУ. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.174ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.174ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: BFT19A, BFT28C. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т505Б: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 250 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 140; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т505Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 05 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
624.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ8130Б Транзисторы КТ8130Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Импортный аналог: 2N6035. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ8130Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 130 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3130Г9 Транзисторы КТ3130Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Транзисторы маркируются цветной меткой на корпусе: - КТ3130А9 - красной, - КТ3130Б9 - желтой, - КТ3130В9 - зеленой, - КТ3130Г9 - голубой, - КТ3130Д9 - синей, - КТ3130Е9 - белой. Тип прибора указывается в этикетке. Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23). Масса транзистора не более 0,01 г Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.448ТУ/02. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2SC2404, 2SC2405, BCW33, 2SD1161. Основные технические характеристики транзистора КТ3130Г9: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 400... 1000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3130Г9 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 130 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ837К Транзисторы КТ837К кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.403ТУ/03. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N6110. Основные технические характеристики транзистора КТ837К: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ837К К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ712А Транзисторы КТ712А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах напряжения. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.670ТУ. Срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления. Импортный аналог: MJH11019, BDX54F. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ712А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц; 12 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
252.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС П702А Транзисторы П702А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. Используются в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-20. Масса транзистора не более 24,0 г, с накидным фланцем - не более 32,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: ЩБ3.365.000ТУ. Зарубежный аналог: 2N4910, 2SD146, BUY46. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: П702А П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 702 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 701 до 799 - кремниевые мощные транзисторы высокой и сверхвысокой частоты; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ855Б Транзисторы КТ855Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3». Категория качества: «ОТК». Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BDT42C. Основные технические характеристики транзистора КТ855Б: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 8 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (150В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ855Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 55 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ608Б Транзисторы КТ608Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,75 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «5.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - ЩБ3.365.054ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N1959, 2N2224, 2N2237, 2N2958, 2N3053, 2N3299, 2N3722, 2N4046, 2N2096A. Основные технические характеристики транзистора КТ608Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...160; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ608Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
330.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т3129А9 Транзисторы 2Т3129А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Тип прибора указывается в этикетке. Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23). Масса транзистора не более 0,1 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.568ТУ. Зарубежный аналог: FMMT3905. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т3129А9: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 75 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 30... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т3129А9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 129 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ720А Транзистор КТ720А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в усилителях мощности низкой частоты в аппаратуре общего назначения. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» АДБК.432150.105ТУ. Импортный аналог: MJE712. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ720А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц; 20 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т825Б Транзисторы 2Т825Б кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения . Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Транзистор 2Т825А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора: - в металлическом корпусе не более 20,0 г, - кристалла не более 0,025 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.054ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.054ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N6286. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т825Б: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750...18000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т825Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 140.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1Т906А Транзисторы 1Т906А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г, с крепежным фланцем не более 6,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: СА3.365.014ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления. Основные технические характеристики транзистора 1Т906А: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...150; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 1Т906А 1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 06 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
252.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т3130Д9 Транзисторы 2Т3130Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Тип прибора указывается в этикетке. Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23). Масса транзистора не более 0,01 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.569ТУ. Зарубежный аналог: BC172B. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т3130Д9: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200... 500; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т3130Д9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 130 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ933Б Транзисторы КТ933Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,5 г. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.312ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N4037, 2SA537, BC139, BC143, BC160-6, DTL3502. Основные технические характеристики транзистора КТ933Б: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 75 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 0,5 мА (80В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 30; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,75 Ом7 Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ933Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 33 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
90.00 руб.
-
+
|