Транзисторы биполярные - страница 38
Цена с НДС КТ316А Транзисторы КТ316А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (КТ316А, КТ316Б, КТ316В). Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - СБ0.336.030ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: ST6130. Основные технические характеристики транзистора КТ316А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ316А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
102.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ316АМ Транзисторы КТ316АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316ГМ, КТ316ДМ) и переключающих устройствах (КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ). Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркировка указывается на корпусе в сокращенном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» СБ0.336.030ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ316АМ: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ316АМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ316Б Транзисторы КТ316Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (КТ316А, КТ316Б, КТ316В). Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - СБ0.336.030ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: MM8006, MM8007. Основные технические характеристики транзистора КТ316Б: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ316Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ316БМ Транзисторы КТ316БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316ГМ, КТ316ДМ) и переключающих устройствах (КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ). Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркировка указывается на корпусе в сокращенном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» СБ0.336.030ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ316БМ: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ316БМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ316ВМ Транзисторы КТ316ВМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316ГМ, КТ316ДМ) и переключающих устройствах (КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ). Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркировка указывается на корпусе в сокращенном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» СБ0.336.030ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ316ВМ: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ316ВМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ316Г Транзисторы КТ316Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (КТ316А, КТ316Б, КТ316В). Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - СБ0.336.030ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: ST6130. Основные технические характеристики транзистора КТ316Г: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ316Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ316Д Транзисторы КТ316Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (КТ316А, КТ316Б, КТ316В). Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - СБ0.336.030ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2N709A. Основные технические характеристики транзистора КТ316Д: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60... 300; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ316Д К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ316ДМ Транзисторы КТ316ДМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316ГМ, КТ316ДМ) и переключающих устройствах (КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ). Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркировка указывается на корпусе в сокращенном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» СБ0.336.030ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ316ДМ: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60... 300; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ316ДМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
24.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3179А9 Транзистор КТ3179А9 кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный. Предназначен для применения в бытовой видеотехнике в составе гибридных интегральных микросхем, в платах поверхностного монтажа. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Тип прибора указывается в этикетке. Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23). Масса транзистора не более 0,01 г Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДБК.432140.099ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2SD814, 2SC1622A. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3179А9 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 179 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
24.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3189А9 Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор малой мощности. Транзисторы КТ3189А9 предназначены для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Тип прибора указывается в этикетке. Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23). Масса транзистора не более 0,01 г Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДБК.432150.531ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BC847A. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3189А9 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 189 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3189Б9 Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор малой мощности. Транзисторы КТ3189Б9 предназначены для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Тип прибора указывается в этикетке. Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23). Масса транзистора не более 0,01 г Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДБК.432150.531ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BC847B. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3189Б9 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 189 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3189В9 Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор малой мощности. Транзисторы КТ3189В9 предназначены для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Тип прибора указывается в этикетке. Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23). Масса транзистора не более 0,01 г Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДБК.432150.531ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BC847C. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3189В9 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 189 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ321А Транзисторы КТ321А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,2 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.393ТУ. Импортный аналог: BSV64, 2N1259. Основные технические характеристики транзистора КТ321А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 210 мВт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ321А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 21 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ321Б Транзисторы КТ321Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,2 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.393ТУ. Импортный аналог: MM2260, 2SA561. Основные технические характеристики транзистора КТ321Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 210 мВт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ321Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 21 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
42.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ325А Транзисторы КТ325А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,2 г. Тип корпуса: КТ-2-9 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - СБ0.336.047ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N2615, 2N2615, 2N5180, 2SC385A. Основные технические характеристики транзистора КТ325А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30... 90; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ325А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
252.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ325АМ Транзисторы КТ325АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры широкого назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом, на приборах маркировка указывается в сокращенном виде: 325А, 325Б, 325В. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» СБ0.336.047ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2SC1215, 2SC1188, 2SC2347, MPS3563, STH17. Основные технические характеристики транзистора КТ325АМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30... 90; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ325АМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ325Б Транзисторы КТ325Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,2 г. Тип корпуса: КТ-2-9 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - СБ0.336.047ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N2616, 2SC1215, BFN41. Основные технические характеристики транзистора КТ325Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 70... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ325Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
252.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ325БМ Транзисторы КТ325БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры широкого назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом, на приборах маркировка указывается в сокращенном виде: 325А, 325Б, 325В. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» СБ0.336.047ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2SC1215, 2SC1188, 2SC2347, MPS3563, STH17. Основные технические характеристики транзистора КТ325БМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 70... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ325БМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ325В Транзисторы КТ325В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,2 г. Тип корпуса: КТ-2-9 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - СБ0.336.047ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2SC612, 2SC809, 2N2616. Основные технические характеристики транзистора КТ325В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 160... 400; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ325В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
252.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ325ВМ Транзисторы КТ325ВМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры широкого назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом, на приборах маркировка указывается в сокращенном виде: 325А, 325Б, 325В. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» СБ0.336.047ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2SC1215, 2SC1188, 2SC2347, MPS3563, STH17. Основные технические характеристики транзистора КТ325ВМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 160... 400; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ325ВМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
36.00 руб.
-
+
|